[发明专利]低压差线性稳压电路、芯片以及终端设备在审
| 申请号： | 202210552393.1 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114840048A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 汪涛;吕佩师;高秋英;陈光胜 | 申请（专利权）人： | 上海东软载波微电子有限公司;青岛海尔洗衣机有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张英英 |
| 地址： | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 线性 稳压 电路 芯片 以及 终端设备 | ||
1.一种低压差线性稳压电路，其特征在于，包括：
基准电压生成单元，用于生成基准电压，并输出至电压转换单元；
电压转换单元，用于根据所述基准电压生成稳压电压，并选择性地输出所述稳压电压，所述稳压电压大于等于所述基准电压。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述电压转换单元包括：
阻抗子单元，所述阻抗子单元的第一端接入所述基准电压；
开关子单元，所述开关子单元的第一端耦接所述阻抗子单元的第二端，所述开关子单元的第二端输出所述稳压电压。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述阻抗子单元为可变电阻。
4.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述开关子单元包括MOS管或单刀单掷开关，所述MOS管的栅极接入低功耗模式控制信号。
5.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，在低功耗模式控制信号的控制下，所述电压转换单元输出所述稳压电压。
6.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述基准电压为带隙基准电压。
7.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述基准电压生成单元包括第一三极管、第二三极管和第一电阻；
所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极接地，所述第二三极管的发射极耦接所述第一电阻的第一端，所述第一三极管的发射极电压与所述第一电阻的第二端电压相同，所述第二三极管的集电极面积与所述第一三极管集电极面积的倍数为N，N为正数。
8.根据权利要求7所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述稳压电压计算公式如下：
VLDO＝VBG+IR1×(n×R)，其中，VLDO表示所述稳压电压，VBG表示所述基准电压，n表示电流系数，R表示阻抗子单元的电阻值，IR1表示经过所述第一电阻的电流值，VT表示热电压，R1表示所述第一电阻的电阻值。
9.一种芯片，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的低压差线性稳压电路。
10.一种终端设备，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的低压差线性稳压电路。
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