[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储系统

权利要求书

1.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：

在衬底的一侧形成牺牲叠层；其中，所述牺牲叠层包括朝远离所述衬底的方向、依次层叠接触的掺杂牺牲层和第一连接层；

在所述牺牲叠层背向所述衬底的一侧形成叠层结构；

形成多个依次贯穿所述叠层结构和所述牺牲叠层并延伸至所述衬底内的沟道孔；以及

基于所述掺杂牺牲层暴露于所述沟道孔的表面形成缩限结构，所述缩限结构围设形成的缩限孔的孔径小于所述沟道孔的孔径。

2.根据权利要求1所述的制备半导体器件的方法，其中，所述牺牲叠层还包括与所述掺杂牺牲层接触的第二连接层，所述第二连接层形成于所述掺杂牺牲层背向所述第一连接层的一侧。

3.根据权利要求2所述的制备半导体器件的方法，其中，所述牺牲叠层还包括衬底绝缘层和牺牲绝缘层；

其中，在衬底的一侧形成牺牲叠层，包括：

在所述衬底的一侧形成所述衬底绝缘层；

在所述衬底绝缘层背向所述衬底的一侧形成所述第二连接层；

在所述第二连接层背向所述衬底绝缘层的一侧形成所述掺杂牺牲层；

在所述掺杂牺牲层背向所述第二连接层的一侧形成所述第一连接层；

在所述第一连接层背向所述掺杂牺牲层的一侧形成所述牺牲绝缘层。

4.根据权利要求2所述的制备半导体器件的方法，其中，所述第二连接层的厚度为200A～600A。

5.根据权利要求1所述的制备半导体器件的方法，其中，所述掺杂牺牲层的厚度为400A～1200A；和/或，所述第一连接层的厚度为400A～1200A。

6.根据权利要求1所述的制备半导体器件的方法，其中，所述掺杂牺牲层为N型掺杂多晶硅层或P型掺杂多晶硅层；

和/或，所述第一连接层为无掺杂多晶硅层。

7.根据权利要求1至6任一项所述的制备半导体器件的方法，其中，在所述掺杂牺牲层暴露于所述沟道孔的表面形成缩限结构，包括：

氧化暴露于所述沟道孔的部分所述掺杂牺牲层，以形成所述缩限结构。

8.根据权利要求1至6任一项所述的制备半导体器件的方法，其中，在所述掺杂牺牲层暴露于所述沟道孔的表面形成缩限结构之后，还包括：

在所述沟道孔的内壁以及所述缩限结构的表面形成功能层；

在所述功能层的表面形成自所述沟道孔远离所述衬底的一端延伸至所述缩限结构内的沟道层。

9.根据权利要求8所述的制备半导体器件的方法，其中，所述缩限孔包括朝趋近所述衬底方向依次连通的渐缩孔和渐扩孔，所述缩限孔的最小孔径不大于所述功能层的厚度的两倍。

10.根据权利要求8所述的制备半导体器件的方法，其中，所述沟道层位于所述缩限结构内的部分朝趋近所述衬底的方向呈渐缩状，以形成封闭端。

11.根据权利要求8所述的制备半导体器件的方法，其中，在所述功能层的表面形成自所述沟道孔远离所述衬底的一端延伸至所述缩限结构的沟道层之后，还包括：

去除所述衬底、所述缩限结构、部分所述功能层和部分所述牺牲叠层，以暴露部分所述沟道层和部分所述第一连接层；以及

形成半导体导出层，以覆盖暴露的所述沟道层和暴露的所述第一连接层。