[发明专利]一种半导体发光单元和半导体发光器件在审

专利信息
申请号: 202210543209.7 申请日: 2022-05-18
公开(公告)号: CN114899295A 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 黄伟;曹宇星;汪洋;李向阳;周威云 申请(专利权)人: 瑞识科技(深圳)有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市光明区凤凰街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 发光 单元 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体发光单元,其特征在于,包括基板(1),设置于所述基板(1)上的半导体芯片(2),覆盖所述半导体芯片(2)的发光面的第一透镜(3),所述第一透镜(3)具有出光面(30),所述第一透镜(3)的出光面(30)的外边缘为椭圆(301),所述第一透镜(3)的出光面(30)的中心点为D0,所述中心点D0和半导体芯片(2)的中心点的连线垂直于半导体芯片(2)所在平面,所述出光面(30)上还具有D1、D2两个点,所述D1、D2分别为位于椭圆(301)的短轴、长轴方向上与出光面(30)的中心点D0距离均为L的点,光线从半导体芯片(2)发射,经过出光面(30)上的D1、D2后扩散角度分别为θ1、θ2,所述θ2>θ1

2.如权利要求1所述的半导体发光单元,其特征在于,所述第一透镜(3)沿短轴方向和长轴方向分别具有第一外缘线(3001)和第二外缘线(3002),所述第二外缘线(3002)和第一外缘线(3001)除了在D0重叠,其它任意第一外缘线(3001)和第二外缘线(3002)在水平面上距离D0相同距离的两个点,均具有第二外缘线(3002)上的点位于第一外缘线(3001)上的点远离半导体芯片(2)的一侧的位置关系。

3.如权利要求1所述的半导体发光单元,其特征在于,在所述出光面(30)的任意同一轴线方向上,出光面(30)上具有与中心点D0距离分别为L1、L2的两个点D3、D4,光线从半导体芯片(2)发射,经过出光面(30)上的D3、D4后扩散角度分别为θ3、θ4,所述L2>L1时,θ3>θ4

4.如权利要求1所述的半导体发光单元,其特征在于,所述出光面(30)包括中央区域(311)和环绕中央区域(311)的边缘区域(312),所述中央区域(311)为内凹曲面。

5.如权利要求1所述的半导体发光单元,其特征在于,还包括空腔结构(5),所述空腔结构(5)由第一透镜(3)和所述基板(1)形成,且可容纳所述半导体芯片(2)。

6.如权利要求5所述的半导体发光单元,其特征在于,所述第一透镜(3)包括顶部(31)和侧部(32),所述顶部(31)具有远离空腔结构(5)一侧的第一表面(31a)和邻近空腔结构(5)一侧的第二表面(31b),所述侧部(32)具有远离空腔结构(5)一侧的第三表面(32a)和邻近空腔结构(5)一侧的第四表面(32b),所述第一表面(31a)和第三表面(32a)共同构成所述出光面(30),所述侧部(32)的第三表面(32a)或其切面与基板(1)之间的夹角60-90度。

7.如权利要求5所述的半导体发光单元,其特征在于,还包括第二透镜(4),所述第二透镜(4)位于所述空腔结构(5)与所述半导体芯片(2)之间,被所述空腔结构(5)包裹,且覆盖所述半导体芯片(2)的发光面。

8.如权利要求1所述的半导体发光单元,其特征在于,所述半导体发光单元的出光角度范围为100°~160°。

9.如权利要求1所述的半导体发光单元,其特征在于,所述空腔结构(5)内设有填充材料,所述填充材料位于所述第一透镜(3)和第二透镜(4)之间,且所述第一透镜(3)和第二透镜(4)的折射率均大于所述填充材料的折射率。

10.一种半导体发光单元器件,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的半导体发光单元,其中所述半导体发光单元的数量为多个,各个所述半导体发光单元呈阵列分布。

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