[发明专利]一种TFT像素结构及其显示面板在审

专利信息
申请号: 202210533166.4 申请日: 2022-05-12
公开(公告)号: CN114994996A 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 张军;胡自萍 申请(专利权)人: 江西兴泰科技有限公司
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 宁波甬致专利代理有限公司 33228 代理人: 黄宗熊
地址: 343000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 tft 像素 结构 及其 显示 面板
【说明书】:

发明涉及一种TFT像素结构及其显示面板,TFT像素结构包括栅极线、数据线以及像素单元,像素单元包括TFT区域、像素电极以及COM电极,TFT区域包括一个公共栅极、第一TFT以及第二TFT,第一TFT包括第一有源层、第一源极以及第一漏极,第二TFT包括第二有源层、第二源极以及第二漏极,第一有源层和第二有源层均位于所述的一个公共栅极的上方,且第一有源层和第二有源层在竖直方向上呈平行分布,第一源极的一端与数据线连接,另一端与第一有源层连接,第一漏极的一端与第一有源层连接,另一端与第二源极连接,第二漏极的一端与第二有源层连接,另一端与像素电极连接,该结构能够使TFT区域的结构更加紧凑,增大了存储电容的面积,优化了TFT像素结构的设计。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域,尤其是涉及一种TFT像素结构及其显示面板。

背景技术

电子纸墨水屏显示具有超低功耗,低频显示、省电的特点,在价格标签、教育平板、公交站牌具有广泛地应用市场。随着电子纸越来越受终端客户吸引,高分辨率TFT背板设计逐渐成为未来发展趋势之一。

随着终端客户对显示分辨率的要求越来越高,对应的TFT像素尺寸要求也越来越小,现有技术中,像素单元中的两个TFT串联成“工”字形结构,受到工艺所限,TFT线框线距需保持一定距离,因此TFT的结构区域会占整个像素单元面积较大的比例,导致像素的存储电容面积减小。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种TFT区域面积减小、有效改善存储电容面积的TFT像素结构及其显示面板。

本发明所采用的技术方案是,一种TFT像素结构,包括栅极线、数据线以及像素单元,所述像素单元包括TFT区域、像素电极以及位于像素电极上的COM电极,所述TFT区域包括与栅极线连接的一个公共栅极、第一TFT以及第二TFT,所述第一TFT包括第一有源层、第一源极以及第一漏极,所述第二TFT包括第二有源层、第二源极以及第二漏极,所述第一有源层和第二有源层均位于所述的一个公共栅极的上方,且第一有源层和第二有源层在竖直方向上呈平行分布,所述第一源极的一端与数据线连接,另一端与第一有源层连接,所述第一漏极的一端与第一有源层连接,另一端与第二源极连接,所述第二漏极的一端与第二有源层连接,另一端与像素电极连接。

本发明的有益效果是:采用上述TFT像素结构,在TFT区域设置一个公共栅极供第一TFT和第二TFT共用,将第一TFT的第一源极与数据线连接,第一TFT和第二TFT串联在一起,第二TFT的第二漏极再与像素电极连接,该结构能够使TFT区域的结构更加紧凑,增大了存储电容的面积,优化了TFT像素结构的设计。

作为优选,所述公共栅极的宽度为Ws,高度为Hs,所述的第一有源层的宽度为Wa,高度为Ha,其中,WaWs,HaHs,所述的第二有源层的宽度为Wb,高度为Hb,WbWs,HbHs;当公共栅极的宽度Ws减小时,所述的第一有源层的宽度Wa对应减小,所述的第二有源层的宽度Wb对应减小,此时所述的TFT区域还包括第三TFT以及第四TFT,所述第三TFT包括第三源极以及第三有源层,所述第四TFT包括第四漏极以及第四有源层,所述第三有源层和第四有源层均位于所述的一个公共栅极的上方,所述第三有源层与第一有源层位于同一竖直方向上,所述第四有源层与第二有源层位于同一竖直方向上,所述第三有源层和第一有源层为一体成型结构,所述第四有源层和第二有源层为一体成型结构,所述第三源极一端与数据线连接,另一端与第三有源层连接,所述第四漏极一端与第四有源层连接,另一端与像素电极连接,采用该结构,可以进一步达到压缩TFT区域空间的效果,在TFT区域空间被压缩的基础上,增加了第三TFT和第四TFT,保证了TFT区域正常工作,该结构能够保证TFT区域的结构更加紧凑,增大了存储电容的面积,优化了TFT像素结构的设计。

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