[发明专利]一种TFT像素结构及其显示面板在审
| 申请号: | 202210533166.4 | 申请日: | 2022-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN114994996A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
| 发明(设计)人: | 张军;胡自萍 | 申请(专利权)人: | 江西兴泰科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人: | 黄宗熊 |
| 地址: | 343000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tft 像素 结构 及其 显示 面板 | ||
1.一种TFT像素结构,包括栅极线(1)、数据线(2)以及像素单元(3),其特征在于:所述像素单元(3)包括TFT区域、像素电极(4)以及位于像素电极(4)上的COM电极(5),所述TFT区域包括与栅极线(1)连接的一个公共栅极(6)、第一TFT以及第二TFT,所述第一TFT包括第一有源层(7)、第一源极(8)以及第一漏极(9),所述第二TFT包括第二有源层(10)、第二源极(11)以及第二漏极(12),所述第一有源层(7)和第二有源层(10)均位于所述的一个公共栅极(6)的上方,且第一有源层(7)和第二有源层(10)在竖直方向上呈平行分布,所述第一源极(8)的一端与数据线(2)连接,另一端与第一有源层(7)连接,所述第一漏极(9)的一端与第一有源层(7)连接,另一端与第二源极(11)连接,所述第二漏极(12)的一端与第二有源层(10)连接,另一端与像素电极(4)连接。
2.根据权利要求1所述的一种TFT像素结构,其特征在于:所述公共栅极(6)的宽度为Ws,高度为Hs,所述的第一有源层(7)的宽度为Wa,高度为Ha,其中,WaWs,HaHs,所述的第二有源层(10)的宽度为Wb,高度为Hb,WbWs,HbHs;当公共栅极(6)的宽度Ws减小时,所述的第一有源层(7)的宽度Wa对应减小,所述的第二有源层(10)的宽度Wb对应减小,此时所述的TFT区域还包括第三TFT以及第四TFT,所述第三TFT包括第三源极(13)以及第三有源层(14),所述第四TFT包括第四漏极(15)以及第四有源层(16),所述第三有源层(14)和第四有源层(16)均位于所述的一个公共栅极(6)的上方,所述第三有源层(14)与第一有源层(7)位于同一竖直方向上,所述第四有源层(16)与第二有源层(10)位于同一竖直方向上,所述第三有源层(14)和第一有源层(7)为一体成型结构,所述第四有源层(16)和第二有源层(10)为一体成型结构,所述第三源极(13)一端与数据线(2)连接,另一端与第三有源层(14)连接,所述第四漏极(15)一端与第四有源层(16)连接,另一端与像素电极(4)连接。
3.根据权利要求2所述的一种TFT像素结构,其特征在于:当公共栅极(6)的宽度减小为Ws1时,所述公共栅极(6)的高度Hs保持不变,所述的第一有源层(7)的宽度对应减小为Wa1,高度对应减小为Ha1,所述的第二有源层(10)的宽度对应减小为Wb1,高度对应减小为Hb1,所述的第三有源层(14)的宽度为Wa2,其中Wa2=Wa-Wa1,所述第四有源层(16)的宽度为Wb2,其中Wb2=Wb-Wb1,所述的第三有源层(14)的高度为Ha2,其中Ha2=Ha-Ha1,所述的第四有源层(16)的高度为Hb2,其中Hb2=Hb-Hb1。
4.一种显示面板,其特征在于:包括权利要求1至权利要求3中任意一项所述的一种TFT像素结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兴泰科技有限公司,未经江西兴泰科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210533166.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





