[发明专利]一种氧化物TFT及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物TFT，包括设置在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极呈交错型或共面型的底栅结构布置，所述有源层具有与源极和漏极接触的接触端部，其特征在于：所述有源层为含有铟元素的氧化物半导体层，所述源极和漏极均由含铟的合金薄膜图形化而成。

2.如权利要求1所述的氧化物TFT，其特征为：所述有源层的接触端部的铟元素浓度高于其他部位。

3.如权利要求1所述的氧化物TFT，其特征为：所述源极和漏极为铜铟合金薄膜。

4.如权利要求3所述的氧化物TFT，其特征为：所述铜铟合金薄膜的铟元素所占质量百分比不少于1%。

5.如权利要求4所述的氧化物TFT，其特征为：所述铜铟合金薄膜的铟元素所占质量百分比为1.8%～2.2%。

6.如权利要求1所述的氧化物TFT，其特征为：所述源极和漏极由掺杂氧化铟的钼合金薄膜图形化而成。

7.如权利要求6所述的氧化物TFT，其特征为：所述钼合金薄膜的氧化铟所占质量百分比不少于2%。

8.如权利要求7所述的氧化物TFT，其特征为：所述钼合金薄膜的氧化铟所占质量百分比为4%～6%。

9.一种氧化物TFT的制造方法，其特征为包括以下步骤：

步骤一、提供一玻璃基板，在其一个面上镀栅极金属层并图形化为栅极；

步骤二、进一步在所述面镀一栅绝缘层，栅绝缘层覆盖所述栅极；

步骤三、进一步在所述面镀一含铟的氧化物半导体层，并将其图形化为有源层的图形块；

步骤四、进一步在所述面镀含铟的合金薄膜，并将其图形化为源极和漏极，源极和漏极相向地搭接在有源层之上，由此形成有源层的接触端部；

步骤五、对所述氧化物TFT实施退火，使源极和漏极的铟原子扩散到接触端部中。

10.一种氧化物TFT的制造方法，其特征为包括以下步骤：

步骤一、提供一玻璃基板，在其一个面上镀栅极金属层并图形化为栅极；

步骤二、进一步在所述面镀一栅绝缘层，栅绝缘层覆盖所述栅极；

步骤三、进一步在所述面镀含铟的合金薄膜，并将其图形化为相向布置在栅极之上的源极和漏极；

步骤四、进一步在所述面镀含铟的氧化物半导体层薄膜，并将其图形化为有源层膜块，有源层膜块具有分别覆盖在源极和漏极上的两个接触端部；

步骤五、对所述氧化物TFT实施退火，使源极和漏极的铟原子扩散到接触端部中。