[发明专利]一种低氧钽靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种低氧钽靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）将钽源置于氢化装置并抽真空，通入氢气加热，待氢化装置内压力不再下降时停止加热，得到氢化钽源；

所述氢化加热的温度为600-700℃；

（2）将步骤（1）所述氢化钽源依次进行破碎和热处理后，得到脱氢钽粉；

所述热处理的温度为400-600℃、时间为100-140min；

所述热处理后进行过筛处理；所述过筛处理筛选出粒度为180-325目的氢化钽粉；

（3）将步骤（2）所述脱氢钽粉依次进行冷等静压、真空烧结、脱气处理和热等静压，得到低氧钽靶材；

所述冷等静压的压力为160-240Mpa、保压时间为10-20min；

所述真空烧结的真空度为≤5×10^-4Pa、温度为2200-2600℃、保温时间为4-6h；

所述脱气处理前，将真空烧结后的坯料放入包套中进行焊合；所述包套内的真空度为1.0×10^-3-1.0×10^-2Pa；

所述脱气处理的温度为400-600℃、时间为6-9h；

所述热等静压的温度为1000-1250℃、压力为170-180Mpa、保压时间为3-6h。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述钽源的纯度＞99.99%。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述冷等静压后得到冷压坯料。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述热等静压后得到钽靶材粗品。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钽靶材粗品进行机加工后得到低氧钽靶材。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）将纯度＞99.99%钽源置于氢化装置并抽真空，通入氢气加热至600-700℃，待氢化装置内压力不再下降时停止加热，得到氢化钽源；

（2）将步骤（1）所述氢化钽源进行破碎以及在400-600℃热处理100-140min，然后筛选出粒度为180-325目的脱氢钽粉；

（3）将步骤（2）所述脱氢钽粉在160-240Mpa下冷等静压10-20min，得到冷压坯料，然后在2200-2600℃真空烧结保温4-6h，所述真空烧结的真空度为≤5×10^-4Pa；将真空烧结后的坯料放入包套中进行焊合，在400-600℃下脱气6-9h，所述包套内的真空度为1.0×10^-3-1.0×10^-2Pa，然后在1000-1250℃、170-180Mpa下热等静压3-6h，去除包套进行机加工后得到低氧钽靶材。

7.一种低氧钽靶材，其特征在于，所述低氧钽靶材采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到；

所述低氧钽靶材的氧含量≤100ppm。