[发明专利]显示面板和显示面板的制作方法在审
| 申请号: | 202210514974.6 | 申请日: | 2022-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN114883372A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 谢超雄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/544 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
本申请实施例提供一种显示面板和显示面板的制作方法,其中,显示面板包括显示区和围绕显示区设置的非显示区,显示面板包括:基板;多个标记结构设置在非显示区,标记结构包括遮光层和氧化铟镓锌层,遮光层设置在基板上,遮光层设置有镂空结构;氧化铟镓锌层具有导电性,氧化铟镓锌层包括连接的第一部分和第二部分,第一部分设置在遮光层远离基板的一侧,第二部分对应镂空结构设置,且第二部分至少部分设置在镂空结构内,第二部分远离基板的表面低于第一部分远离基板的表面。通过在遮光层上单独制作镂空结构,在氧化铟镓锌层上单独制作第二部分,相对于现有技术,既可以满足显示面板根据标记结构进行对位,又不影响阳极与ITO同时成膜的制程。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示面板和显示面板的制作方法。
背景技术
在大尺寸面板显示行业,ATS作为Array基板良率评价最关键的设备,ATS设备检测的好坏至关重要。该设备主要利用二次电子对面板表面电势的侦测,从而判断面板是否有异常。检测的大致流程如下:一次对位、二次对位、面板加电驱动和二次电子侦测。其中,二次对位需要使用特殊的标记(mark)设计,利用二次电子成像进行精确的坐标定位。
然而,对于顶发射大尺寸OLED制程,由于需要制作阳极,而ITO制程与阳极同时进行成膜制作,所以无法实现ITO膜层图形的单独制作,从而导致L Mark成像效果差,无法正常进行对位。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板和显示面板的制作方法,可以解决显示面板中LMark成像效果差的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区,所述显示面板包括:
基板;
多个标记结构,所述多个标记结构设置在所述非显示区,所述标记结构包括遮光层和氧化铟镓锌层,所述遮光层设置在所述基板上,所述遮光层设置有镂空结构;所述氧化铟镓锌层具有导电性,所述氧化铟镓锌层包括连接的第一部分和第二部分,所述第一部分设置在所述遮光层远离所述基板的一侧,所述第二部分对应所述镂空结构设置,且所述第二部分至少部分设置在所述镂空结构内,所述第二部分远离所述基板的表面低于所述第一部分远离所述基板的表面。
可选的,所述第一部分的厚度小于所述遮光层的厚度。
可选的,所述第二部分的厚度小于或等于所述第一部分的厚度。
可选的,所述显示面板包括源漏极和阳极,所述源漏极设置在所述氧化铟镓锌层远离所述基板的一侧,所述阳极设置在所述源漏极远离所述基板的一侧。
可选的,所述镂空结构的形状为L形。
可选的,所述镂空结构设置在所述遮光层的中心位置。
可选的,所述氧化铟镓锌层的第一部分的厚度小于50nm,所述遮光层的厚度大于50nm。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,用于制作显示面板,所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区,所述制作方法包括:
提供一基板;
在位于所述非显示区的所述基板上设置遮光层,所述遮光层上设置有镂空区域;
在所述遮光层远离所述基板的一侧设置氧化铟镓锌材料,部分所述氧化铟镓锌材料凹陷于所述镂空区域内,以使所述氧化铟镓锌材料对应所述镂空区域形成凹槽;
固化所述氧化铟镓锌材料形成氧化铟镓锌层;
对所述氧化铟镓锌层进行等离子体处理,以使所述氧化铟镓锌层导体化。
可选的,所述制作方法还包括:
在所述氧化铟镓锌层远离所述基板的一侧设置源漏极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





