[发明专利]一种铜金属蚀刻液组合物及其使用方法

说明书

本发明公开了一种铜金属蚀刻液组合物及其使用方法，涉及的是蚀刻液领域。本申请中的铜金属蚀刻液包括主剂和辅剂，主剂的制备原料包括：过氧化物、氟离子源、磺酰胺酸、氨基化合物、稳定剂、杂环化合物、超纯水，辅剂的制备原料包括氟离子源、酸性物质、氨基化合物、稳定剂、杂环化合物、超纯水，使用时将主剂与含铜金属层相接触，随后补加铜金属蚀刻液组合物中的辅剂，具有极小的CD‑Loss值，能够完全满足小尺寸超高精细产品生产，而且具有极高的寿命，铜离子浓度可达14000ppm以上，有效降低了蚀刻液的使用量，节约成本，后锥角在45‑55°之间，不会导致后续膜层断线等不良，对玻璃腐蚀程度极低，基板可返工再次使用，节约基板，刻蚀稳定性强。

技术领域

本发明涉及的是蚀刻液领域，C23F1/14，尤其涉及一种铜金属蚀刻液组合物及其使用方法。

背景技术

蚀刻液是一种铜版画雕刻用的原料，主要用于将印刷电路板、引线框架、球栅阵列、载带自动键合、阵列基板等多种电子元件基板及精密零件的电路制备过程中的铜、钛及合金根据需求选择性去除。因此，性能优异的蚀刻液应该具有较小的键尺寸损失(CD-Loss)、时刻系数大，侧蚀小、蚀刻性能稳定、具有优异的溶解铜的能力，而且污水处理较容易。现有技术中，铜钛蚀刻液的寿命为8000-10000ppm，铜负载较低；极易出现基板腐蚀，玻璃基板不可返工；CD-Loss较大，无法满足高精细产品需求；锥角多在60°以上，容易造成后续膜层金属断线，进而影响最终的产品性能。

专利CN201710271534.1公开了一种蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法，包括过氧化氢、含氟化合物、唑系化合物、甘氨酸、磺酰胺酸、多元醇表面活性剂，降低了蚀刻时所导致的锥角及侧蚀的变化量，大大提高基板的处理张数，但是该蚀刻液最多可以处理8000ppm，寿命较短。专利CN202011552376.5公开了一种铜蚀刻液组合物及其制备方法和应用，通过在主剂和辅剂中均加入特定结构的三聚氰胺或其衍生物，在过氧化氢、有机酸、有机碱、稳定剂的作用下，处理后得到的铜/钼膜层表面无残留、无倒角、无裂缝，但是其对玻璃基板的防腐性较差，铜负载量较低，而且键尺寸损失还可以进一步改善，无法满足高精细产品需求。

发明内容

为了解决上述问题，本发明第一方面提供了一种铜金属蚀刻液组合物，其制备原料包括：主剂、辅剂；

所述主剂的制备原料，包括：过氧化物、氟离子源、酸性物质、氨基化合物、稳定剂、杂环化合物、超纯水。

优选地，所述主剂的制备原料，按质量百分比计，包括：1～20％过氧化物、0.01～1％氟离子源、1～15％酸性物质、0.1～15％氨基化合物、0.01～1％稳定剂、0.01～1％杂环化合物、超纯水余量。

进一步优选地，所述主剂的制备原料，按质量百分比计，包括：6～10％过氧化物、0.01～0.2％氟离子源、2～8％酸性物质、0.5～5％氨基化合物、0.1～0.5％稳定剂、0.02～0.5％杂环化合物、超纯水余量。

在一些优选的实施方式中，所述过氧化物选自过氧化氢、过氧化钾、过氧乙酸、过氧化镁、过碳酸钠中的至少一种；优选地，所述过氧化物为过氧化氢。

在一些优选的实施方式中，所述氟离子源选自氟化钠、氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟化钾、氟硼酸铵、三氟乙酸中的至少一种；优选地，所述氟离子源为氢氟酸。