[发明专利]一种高亮度全彩微型显示器结构在审
| 申请号: | 202210509661.1 | 申请日: | 2022-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN114628484A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
| 发明(设计)人: | 彭劲松;杨建兵;刘腾飞;秦昌兵;殷照 | 申请(专利权)人: | 南京国兆光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人: | 杨雷 |
| 地址: | 211111 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 亮度 全彩 微型 显示器 结构 | ||
一种高亮度全彩微型显示器结构,包括基于MicroLED发光的蓝光像素和基于OLED发光的红色和绿色像素,还包括MicroLED阳极、MicroLED发光器件、MicroLED阴极、无机介质层、OLED阳极、OLED有机发光器件、OLED器件封装层、彩色滤光层等。本发明使用MicroLED发光与OLED发光相结合,以MicroLED发光形成蓝色像素,发光亮度和良率有保证,以OLED发光形成绿色和红色像素,其发光亮度和寿命相对白光可以大幅度提升,如此形成的彩色微显示器能轻松满足AR/VR应用需求。
技术领域
本发明涉及一种显示器结构的技术领域,尤其是一种无机发光与有机发光相结合的微型显示器结构,具体地说是一种高亮度全彩微型显示器结构。
背景技术
AR/VR有着广阔的应用需求,其对彩色微型显示器件有高亮度、长寿命、高分辨率等要求。目前,MicroLED被认为是最有潜力的显示技术,其在亮度、反应速度、寿命、工作温度等方面,远远优于OLED和LCD等技术。但MicroLED的彩色化技术不太成熟,巨量转移技术、晶圆级键合技术、选择性生长技术等都存在各自的短板,在实现批产的路上困难重重;MicroLED结合量子点色转换的结构因微显示的高分辨率要求,存在色转换效率低和漏光的风险。
OLED技术也是AR/VR应用的选择方案之一,彩色化器件由白光结合色彩过滤技术实现,但白光中因为需要蓝光存在,难以做到高亮度和长寿命。在OLED白光技术体系中,蓝光是荧光发光,效率低,寿命短,会拉低白光的整体亮度与寿命。
发明内容
本发明使用MicroLED发光与OLED发光相结合,以MicroLED发光形成蓝色像素,发光亮度和良率有保证,以OLED发光形成绿色和红色像素,其发光亮度和寿命相对白光可以大幅度提升,如此形成的彩色微显示器能轻松满足AR/VR应用需求。目前,MicroLED微显示的单色器件制备和OLED微显示技术可望成为一种低成本而被市场接受的批产技术。
本发明的技术方案是:
一种高亮度全彩微型显示器结构,包括硅驱动芯片,在所述的硅驱动芯片的上表面对应像素区域分别制备MicroLED阳极层与OLED阳极层,OLED阳极层包含红色像素阳极和绿色像素阳极,MicroLED阳极层的上方依次设置MicroLED发光器件层、MicroLED阴极层,MicroLED阳极层、MicroLED发光器件层和MicroLED阴极层共同组成能实现蓝色发光的MicroLED二极管,无机介质层将MicroLED阳极层、MicroLED发光器件层和MicroLED阴极层进行整体包覆并填充红、绿、蓝三个子像素之间的电极间隔,在无机介质层和OLED阳极层混合界面的上方制备OLED有机发光器件层,在OLED有机发光器件层的上方制备OLED有机器件封装层,在OLED有机器件封装层的上方对应红、绿像素分别制备红色滤光层和绿色滤光层。
优先的是,本发明的MicroLED阳极层的材料为低电阻率金属,并能与MicroLED形成欧姆接触。
优先的是,本发明的MicroLED发光器件层包括n-GaN层、量子阱发光层、p-GaN层。
优先的是,本发明的MicroLED阴极层与MicroLED形成低的欧姆接触,采用透明导电材料。
优先的是,本发明的无机介质层具备良好的蓝光透过率,采用SiO2、SiONx、Al2O3或复合介质中的至少一种。
优先的是,本发明的OLED阳极层是高反射率金属,并与OLED有机发光器件层直接接触。
优先的是,本发明的OLED有机发光器件层为红绿双色混合发光器件。
优先的是,本发明的OLED有机器件封装层采用有机材料、无机材料或二者复合组成。
本发明的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





