[发明专利]一种高亮度全彩微型显示器结构

权利要求书

1.一种高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于包括硅驱动芯片（1），其特征是在所述的硅驱动芯片（1）的上表面对应像素区域分别制备MicroLED阳极层（2）与OLED阳极层（6），OLED阳极层（6）包含红色像素阳极和绿色像素阳极，MicroLED阳极层（2）的上方依次设置MicroLED发光器件层（3）、MicroLED阴极层（4），MicroLED阳极层（2）、MicroLED发光器件层（3）和MicroLED阴极层（4）共同组成能实现蓝色发光的MicroLED二极管，无机介质层（5）将MicroLED阳极层（2）、MicroLED发光器件层（3）和MicroLED阴极层（4）进行整体包覆并填充红、绿、蓝三个子像素之间的电极间隔，在无机介质层（5）和OLED阳极层（6）混合界面的上方制备OLED有机发光器件层（7），在OLED有机发光器件层（7）的上方制备OLED有机器件封装层（8），在OLED有机器件封装层（8）的上方对应红、绿像素分别制备红色滤光层（9）和绿色滤光层（10）。

2.根据权利要求1所述的高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于所述的MicroLED阳极层（2）的材料为低电阻率金属，并能与MicroLED形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于所述的MicroLED发光器件层（3）包括n-GaN层、量子阱发光层、p-GaN层。

4.根据权利要求1所述的高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于所述的MicroLED阴极层（4）与MicroLED形成低的欧姆接触，采用透明导电材料。

5.根据权利要求1所述的高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于所述的无机介质层（5）具备良好的蓝光透过率，采用SiO₂、SiON_x、Al₂O₃或复合介质中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于所述的OLED阳极层（6）是高反射率金属，并与OLED有机发光器件层（7）直接接触。

7.根据权利要求1所述的高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于所述的OLED有机发光器件层（7）为红绿双色混合发光器件。

8.根据权利要求1所述的高亮度全彩微型显示器结构，其特征在于所述的OLED有机器件封装层（8）采用有机材料、无机材料或二者复合组成。