[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上依次形成第一氧化物层、存储层、第二氧化物层、控制栅极层和硬掩膜层；蚀刻硬掩膜层、控制栅极层、第二氧化物层、存储层和第一氧化物层，以形成栅极堆叠体；在栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体；在第一栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，在第二栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极；蚀刻栅极堆叠体以形成第一开口；在衬底的位于第一开口下方的部分中形成源极区域；以及在第一选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，在第二选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

在电子设备中，需要借助存储器来进行数据的读取和存储。因此，随着对电子设备的需求不断增长，对存储器技术的要求也越来越高。

闪存是一种可电擦除和重新编程的电非易失性计算机存储介质，即使在供电电源关闭后，仍能保持片内信息。闪存使用方便，既具有读写灵活性和较快的访问速度，又具有在断电后可不丢失信息的特点，因而，闪存技术发展非常迅猛。

闪存包括可寻址的存储器单元阵列，其中，每个存储器单元包括用于存储对应信息的浮置栅极晶体管。因此，期望改善制造闪存(尤其是闪存中的存储器单元)的方法。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一氧化物层、存储层、第二氧化物层、控制栅极层和硬掩膜层；蚀刻所述硬掩膜层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层、所述存储层和所述第一氧化物层，以形成由所述硬掩模层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层、所述存储层和所述第一氧化物层的剩余部分构成的栅极堆叠体；在所述栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体，并且，在所述衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一选择栅极氧化物结构和第二选择栅极氧化物结构，其中，所述第一区域和所述第二区域位于所述栅极堆叠体两侧；在所述第一栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，并且，在所述第二栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极；蚀刻所述栅极堆叠体，以形成穿过所述硬掩模层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层和所述存储层的第一开口；在所述衬底的位于所述第一开口下方的部分中形成源极区域；以及在所述第一选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，并且，在所述第二选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域。

根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一氧化物层、选择栅极层和硬掩膜层；蚀刻所述硬掩膜层和所述选择栅极层，以形成由所述硬掩模层和所述选择栅极层的剩余部分构成的栅极堆叠体；在所述栅极堆叠体的第一侧面和第一栅极区域上形成第一存储结构，并且，在所述栅极堆叠体的第二侧面和第二栅极区域上形成第二存储结构，其中，所述第一栅极区域位于所述栅极堆叠体的第一侧面的一侧，所述第二栅极区域位于所述栅极堆叠体的第二侧面的一侧；在所述第一存储结构上形成第一控制栅极，并且，在所述第二存储结构上形成第二控制栅极；蚀刻所述栅极堆叠体，以形成穿过所述硬掩模层和所述选择栅极层的第一开口；在所述衬底的位于所述第一开口下方的部分中形成漏极区域；以及在所述第一控制栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第一源极区域，并且，在所述第二控制栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第二源极区域。

根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体器件，该半导体器件由如本公开所述的方法制造。

根据在下文中所描述的实施例，本公开的这些和其它方面将是清楚明白的，并且将参考在下文中所描述的实施例而被阐明。

附图说明

在下面结合附图对于示例性实施例的描述中，本公开的更多细节、特征和优点被公开，在附图中：

图1是根据本公开的一些实施例的半导体器件的制作方法的示意性流程图；