[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在衬底上依次形成第一氧化物层、存储层、第二氧化物层、控制栅极层和硬掩膜层；

蚀刻所述硬掩膜层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层、所述存储层和所述第一氧化物层，以形成由所述硬掩模层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层、所述存储层和所述第一氧化物层的剩余部分构成的栅极堆叠体；

在所述栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体，并且，在所述衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一选择栅极氧化物结构和第二选择栅极氧化物结构，其中，所述第一区域和所述第二区域位于所述栅极堆叠体两侧；

在所述第一栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，并且，在所述第二栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极；

蚀刻所述栅极堆叠体，以形成穿过所述硬掩模层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层和所述存储层的第一开口；

在所述衬底的位于所述第一开口下方的部分中形成源极区域；以及

在所述第一选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，并且，在所述第二选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体，并且，在所述衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一选择栅极氧化物结构和第二选择栅极氧化物结构包括：

在所述栅极堆叠体的两侧形成控制栅极间隔体；

在所述栅极堆叠体的侧面和上表面、以及所述衬底的第一区域和第二区域上沉积第一栅极氧化膜；

移除所述第一栅极氧化膜的在所述栅极堆叠体的上表面、以及所述衬底的第一区域和第二区域上的部分，以形成所述第一栅极间隔体和所述第二栅极间隔体；以及

在所述衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一选择栅极氧化物结构和第二选择栅极氧化物结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述在所述栅极堆叠体的侧面和上表面、以及所述衬底的第一区域和第二区域上沉积第一栅极氧化膜包括：

在所述栅极堆叠体的侧面和上表面、以及所述衬底的第一区域、第二区域和高压管区域上沉积第一栅极氧化膜。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，所述在所述第一栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，并且，在所述第二栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极包括：

在所述第一选择栅极氧化物结构和所述第二选择栅极氧化物结构上、以及所述栅极堆叠体上沉积选择栅极多晶硅；以及

移除所沉积的所述选择栅极多晶硅的部分，以形成所述第一选择栅极和所述第二选择栅极。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述在所述第一选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，并且，在所述第二选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域包括：

在所述第一选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中和所述第二选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中执行轻掺杂漏极注入，以形成位于所述第一选择栅极的一侧的第一轻掺杂漏极区域和位于所述第二选择栅极的一侧的第二轻掺杂漏极区域；

在所述第一选择栅极的与所述第一开口相对的一侧形成第一漏极间隔体，并且，在所述第二选择栅极的与所述第一开口相对的一侧形成第二漏极间隔体；

在所述第一选择栅极的面对所述第一开口的一侧形成第一源极间隔体，并且，在所述第二选择栅极的面对所述第一开口的一侧形成第二源极间隔体；以及

在所述第一漏极间隔体的与所述第一开口相对的一侧的衬底中和所述第二漏极间隔体的与所述第一开口相对的一侧的衬底中执行重掺杂漏极注入，以形成位于所述第一漏极间隔体的一侧的第一重掺杂漏极区域和位于所述第二漏极间隔体的一侧的第二重掺杂漏极区域。