[发明专利]保护电路

权利要求书

1.一种保护电路，其特征在于，包括：

静电放电保护电路，用于泄放芯片内的静电放电电流；以及

电气过应力保护电路，用于在所述静电放电保护电路上电时使所述静电放电保护电路停止泄放芯片内的静电放电电流；

所述静电放电保护电路包括泄放单元、触发单元、第一二极管和第一电阻，所述泄放单元用于泄放芯片内的静电放电电流，所述触发单元用于触发所述泄放单元导通，所述第一二极管用于将所述触发单元的工作电压稳定在所述触发单元的耐压范围内，所述第一电阻用于控制所述泄放单元泄放芯片内的静电放电电流的时长；

所述泄放单元包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接电源电压，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；

所述触发单元包括电容、第二电阻、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第二电阻的一端连接电源电压，所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接所述第一电阻的一端，所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极、所述第二电阻的另一端连接所述电容的一端，所述电容的另一端接地；

所述第一二极管的负极连接所述电容的一端，所述第一二极管的正极接地；

所述电气过应力保护电路包括下拉单元和控制信号发送单元，所述下拉单元用于将所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极处的电压下拉至低电平，所述控制信号发送单元用于在所述静电放电保护电路上电时发送控制信号使所述第一NMOS管和所述第二NMOS管截止；

所述下拉单元包括第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第五NMOS管用于在所述静电放电保护电路不上电时将所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极处的电压下拉至低电平，所述第三NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的漏极连接所述控制信号发送单元的一端，所述控制信号发送单元的另一端连接电源电压，所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极、所述第五NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极连接所述第一电阻的一端。

2.据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电气过应力保护电路还包括第二二极管，所述第二二极管用于在所述静电放电保护电路上电时泄放芯片内的静电放电电流，所述第二二极管的负极接电源电压，所述第二二极管的正极接地。

3.据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接P阱。

4.据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极连接N阱。