[发明专利]发光元件、发光组件及显示装置、及显示装置的制造方法

说明书

一种发光元件，包括：第一型半导体图案、第二型半导体图案、发光图案、第一电极、第二电极以及保护层。第二型半导体图案重叠于第一型半导体图案，且位于第一型半导体图案的第一侧。发光图案位于第一型半导体图案与第二型半导体图案之间。第一电极位于第一型半导体图案的第二侧，第二侧与第一侧相对，且第一电极连接第一型半导体图案。第二电极位于第二型半导体图案上与第一型半导体图案相同的一侧，且连接第二型半导体图案。保护层位于第二型半导体图案上与第一型半导体图案相对的一侧，且保护层与第二型半导体图案的折射率差小于1.8。此外，还提出一种包括上述发光元件的发光组件、一种包括上述发光元件的显示装置、以及一种显示装置的制造方法。

技术领域

本发明是有关于一种发光元件、包含其的发光组件及显示装置、以及显示装置的制造方法。

背景技术

微型发光二极管(micro-LED)因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建微型发光二极管显示装置的画素结构。由于微型发光二极管的尺寸极小，目前制作微型发光二极管显示装置的方法是采用巨量转移(Mass Transfer)技术，亦即利用微机电阵列技术进行微型发光二极管晶粒取放，以将大量的微型发光二极管晶粒一次搬运到具有画素电路的驱动背板上。

为了能够进行巨量转移，必须使发光元件处于悬吊状态。目前，用以悬吊发光元件的系连件主要是使用氧化硅(SiOx)，因其具有较低的断裂强度(fracture strength)。然而，系连件同时会形成于发光元件的表面，由于氧化硅的折射率相对于发光元件的半导体层较低，造成发光元件发出的光容易发生全反射，导致发光元件的光取出效率(lightextraction efficiency，LEE)降低。

发明内容

本发明提供一种发光元件，具有提高的光取出效率。

本发明提供一种发光组件，具有提高的光取出效率。

本发明提供一种显示装置，具有提高的光取出效率。

本发明提供一种显示装置的制造方法，能够提供具有提高的光取出效率的显示装置。

本发明的一个实施例提出一种发光元件，包括：第一型半导体图案；第二型半导体图案，重叠于第一型半导体图案，且位于第一型半导体图案的第一侧；发光图案，位于第一型半导体图案与第二型半导体图案之间；第一电极，位于第一型半导体图案的第二侧，第二侧与第一侧相对，且第一电极连接第一型半导体图案；第二电极，位于第二型半导体图案上与第一型半导体图案相同的一侧，且连接第二型半导体图案；以及保护层，位于第二型半导体图案上与第一型半导体图案相对的一侧，且保护层与第二型半导体图案的折射率差小于1.8。

在本发明的一实施例中，上述的保护层的折射率大于1.46。

在本发明的一实施例中，上述的保护层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、二氧化铪、二氧化锆、类钻碳或非晶碳。

在本发明的一实施例中，上述的第二型半导体图案包括P型半导体材料。

在本发明的一实施例中，上述的第二型半导体图案的厚度介于1μm至3μm之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一型半导体图案的厚度介于0.1μm至1μm之间。

本发明的一个实施例提出一种发光组件，包括：载板；多个支撑件，位于载板上；以及上述的发光元件，借由系连件悬吊于多个支撑件之间。

在本发明的一实施例中，上述的系连件延伸于第二型半导体图案、发光图案以及第一型半导体图案的侧壁，且连接支撑件。

在本发明的一实施例中，上述的系连件还延伸于第一型半导体图案及第二型半导体图案上与保护层相对的一侧，且第一电极及第二电极分别通过系连件中的第一通孔连接第一型半导体图案及第二型半导体图案。