[发明专利]发光元件、发光组件及显示装置、及显示装置的制造方法在审
| 申请号: | 202210497852.0 | 申请日: | 2022-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN114864620A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
| 发明(设计)人: | 黄建富;李锡烈;黄宇薪;林冠亨 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/54;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 组件 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包括:
第一型半导体图案;
第二型半导体图案,重叠于所述第一型半导体图案,且位于所述第一型半导体图案的第一侧;
发光图案,位于所述第一型半导体图案与所述第二型半导体图案之间;
第一电极,位于所述第一型半导体图案的第二侧,所述第二侧与所述第一侧相对,且所述第一电极连接所述第一型半导体图案;
第二电极,位于所述第二型半导体图案上与所述第一型半导体图案相同的一侧,且连接所述第二型半导体图案;以及
保护层,位于所述第二型半导体图案上与所述第一型半导体图案相对的一侧,且所述保护层与所述第二型半导体图案的折射率差小于1.8。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,其中所述保护层的折射率大于1.46。
3.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,其中所述保护层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、二氧化铪、二氧化锆、类钻碳或非晶碳。
4.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,其中所述第二型半导体图案包括P型半导体材料。
5.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,其中所述第二型半导体图案的厚度介于1μm至3μm之间。
6.权利要求1所述的发光元件,其特征在于,其中所述第一型半导体图案的厚度介于0.1μm至1μm之间。
7.一种发光组件,其特征在于,包括:
载板;
多个支撑件,位于所述载板上;以及
如权利要求1至6中任一项所述的发光元件,借由系连件悬吊于所述多个支撑件之间。
8.如权利要求7所述的发光组件,其特征在于,其中所述系连件延伸于所述第二型半导体图案、所述发光图案以及所述第一型半导体图案的侧壁,且连接所述支撑件。
9.如权利要求8所述的发光组件,其特征在于,其中所述系连件还延伸于所述第一型半导体图案及所述第二型半导体图案上与所述保护层相对的一侧,且所述第一电极及所述第二电极分别通过所述系连件中的第一通孔连接所述第一型半导体图案及所述第二型半导体图案。
10.如权利要求7所述的发光组件,其特征在于,其中所述系连件的材料与所述保护层的材料不同。
11.如权利要求7所述的发光组件,其特征在于,其中所述保护层的折射率大于所述系连件的折射率。
12.如权利要求7所述的发光组件,其特征在于,其中所述系连件包括氧化硅。
13.如权利要求7所述的发光组件,其特征在于,还包括支撑层,位于所述支撑件及所述发光元件与所述载板之间。
14.一种显示装置,其特征在于,包括:
电路基板;以及
如权利要求1至6中任一项所述的发光元件,位于所述电路基板上,且电性连接所述电路基板。
15.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于,其中所述电路基板还包括第一接垫及第二接垫,且所述第一接垫电性连接所述第一电极,所述第二接垫电性连接所述第二电极。
16.如权利要求15所述的显示装置,其特征在于,其中所述电路基板还包括开关元件,且所述开关元件电性连接所述第一接垫或所述第二接垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





