[发明专利]一种混合叠放式滤波器芯片及其制造工艺

说明书

本发明适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种混合叠放式滤波器芯片。所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；所述BAW谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述BAW谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述BAW谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述SAW谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述BAW谐振层连接。通过将衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片纵向叠放，构成叠层模块结构，在符合不同滤波频段需求的同时，还拥有相对较高的Q值设计和更小的尺寸设计。

技术领域

本发明属于MEMS芯片制造技术领域，尤其涉及一种混合叠放式滤波器芯片及其制造工艺。

背景技术

随着当今集成电路的迅速发展，大规模集成电路已逐渐的出现在人们的视野当中，同时随着科技时代的进步，手机和自动汽车等电子技术设备也逐一亮相，5G信号也相应的被设计出来。其5G信号相对原有的4G信号的优势在于它的频段会更大更宽且信号传输运行的速度更快，带宽外频段的抑制能力更强。

目前滤波器芯片的分类可分为SAW类型和BAW类型。SAW，即表面声谐振器(SurfaceAcoustic Wave)，利用声表面波来处理和传播信号的无源器件；BAW，即薄膜体声谐振器(Bulk Acoustic Wave)，以纵波或横波在固体内部传递的形式来处理声波信号。

SAW和BAW两种滤波器芯片分别适配不同低中高频段，只在相应的频段中有优势。现有的SAW滤波器芯片和BAW滤波器芯片只能分别适配相应的低中高频段，无法同时处理不同频段的声波。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种混合叠放式滤波器芯片及其制造工艺，旨在解决现有滤波器芯片无法处理不同频段的声波的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种混合叠放式滤波器芯片，所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；

所述BAW谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述BAW谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述BAW谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述SAW谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述BAW谐振层连接。

本发明实施例的另一目的在于一种混合叠放式滤波器芯片制造工艺，所述混合叠放式滤波器芯片制造工艺包括：

在衬底上设置SAW谐振层；

在衬底上设置支撑柱；

在所述支撑柱上设置BAW谐振层，使得所述BAW谐振层和所述衬底之间形成第一空腔，并通过第一导线连接所述SAW谐振层和所述BAW谐振层；

增高所述BAW谐振层两侧的所述支撑柱，并用高阻片贴合所述支撑柱，在所述BAW谐振层和高阻片之间形成第二空腔；

在所述高阻片上或所述衬底上设置铜柱和锡银球体。

本发明实施例提供的一种混合叠放式滤波器芯片，通过将衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片纵向叠放，构成叠层模块结构，在符合不同滤波频段需求的同时，还拥有相对较高的Q值设计和更小的尺寸设计。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种混合叠放式滤波器芯片的结构图；

图2为本发明实施例提供的另一种混合叠放式滤波器芯片的结构图；

图3为本发明实施例提供的混合叠放式滤波器芯片制造工艺的流程图；

图4为本发明实施例提供的衬底和SAW谐振层的结构图；

图5为本发明实施例提供的衬底、SAW谐振层和支撑柱的结构图；