[发明专利]一种混合叠放式滤波器芯片及其制造工艺

权利要求书

1.一种混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；

所述BAW谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述BAW谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述BAW谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述SAW谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述BAW谐振层连接。

2.根据权利要求1所述的混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述BAW谐振层包括第一电极层、介质层和第二电极层；所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置；

所述SAW谐振层通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述第一导线设置在所述支撑柱内。

3.根据权利要求2所述的混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述第一电极层上分离设置有电极层子块，所述第一导线串联连接所述SAW谐振层的一端、所述电极层子块和所述第二电极层，且所述第一导线还连接所述SAW谐振层的另一端和所述第一电极层。

4.根据权利要求1所述的混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述高阻片上或所述衬底上设置铜柱，所述铜柱上设置有锡银球体，所述铜柱通过第二导线连接所述第一导线。

5.一种混合叠放式滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述混合叠放式滤波器芯片制造工艺包括：

在衬底上设置SAW谐振层；

在衬底上设置支撑柱；

在所述支撑柱上设置BAW谐振层，使得所述BAW谐振层和所述衬底之间形成第一空腔，并通过第一导线连接所述SAW谐振层和所述BAW谐振层；

增高所述BAW谐振层两侧的所述支撑柱，并用高阻片贴合所述支撑柱，在所述BAW谐振层和高阻片之间形成第二空腔；

在所述高阻片上或所述衬底上设置铜柱和锡银球体。

6.根据权利要求5所述的混合叠放式滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在衬底上设置SAW谐振层，包括以下步骤：

利用PVD工艺和电镀工艺在所述衬底形成金属层；

利用刻蚀工艺将所述金属层图形化，形成呈音叉排列状的所述SAW谐振层。

7.根据权利要求5所述的混合叠放式滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在衬底上设置支撑柱，包括以下步骤：

在衬底上设置绝缘层；

利用刻蚀工艺在所述绝缘层形成边缘留膜且中间中空的图形；

利用牺牲层工艺消除所述图形中间中空的部分，露出所述SAW谐振层，得到所述支撑柱；

利用CMP抛光所述支撑柱和所述SAW谐振层的表面。

8.根据权利要求5所述的混合叠放式滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在所述支撑柱上设置BAW谐振层，使得所述BAW谐振层和所述衬底之间形成第一空腔，并通过第一导线连接所述SAW谐振层和所述BAW谐振层，包括以下步骤：

利用PVD工艺在所述支撑柱上做第一电极层，使所述第一电极层和所述衬底之间形成所述第一空腔；

利用刻蚀工艺在所述第一电极层上分离出电极层子块；

利用PVD工艺和刻蚀工艺，在所述第一电极层上设置介质层，并在所述介质层上设置第二电极层；

利用刻蚀工艺在所述支撑柱上开设通孔；

利用PVD工艺和电镀工艺在通孔上形成所述第一导线，使所述第一导线串联连接所述SAW谐振层的一端、所述电极层子块和所述第二电极层，且使所述第一导线还连接所述SAW谐振层的另一端和所述第一电极层。