[发明专利]一种体声波谐振器制作的方法

说明书

本发明提出了一种体声波谐振器制作的方法。所述方法包括在临时底衬的一侧上布设氧化硅层，并在所述氧化硅层上设置带有空腔凸起的压电层；在所述带有空腔凸起的压电层的远离所述临时底衬的一侧表面上形成下电极；在所述下电极上形成具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构的体声波谐振结构；去除所述临时底衬和氧化硅层；并在所述压电层的远离下电极的一侧表面上形成上电极及电连结构。

技术领域

本发明提出了一种体声波谐振器制作的方法，属于薄膜滤波器技术领域。

背景技术

目前，FBAR（ film bulk acoustic resonator，薄膜腔声谐振滤波器）不同于以前的滤波器，是使用硅底板、借助mems技术以及薄膜技术而制造出来的，现阶段的fbar滤波器已经具备了略高于普通saw滤波器的特性。对于一些常规的FBAR（ film bulk acousticresonator，薄膜腔声谐振滤波器）谐振器结构而言，其谐振结构由于空腔形状结构的设置易导致滤波器谐振过程中出现空腔塌陷导致滤波器运行故障的问题发生。

发明内容

本发明提供了一种体声波谐振器制作的方法，用以解决现有体声波滤波器空腔支撑力不足，易塌陷的问题，所采取的技术方案如下：

一种体声波谐振器制作的方法，所述方法包括：

在临时底衬的一侧上布设氧化硅层，并在所述氧化硅层上设置带有空腔凸起的压电层；

在所述带有空腔凸起的压电层的远离所述临时底衬的一侧表面上形成下电极；

在所述下电极上形成具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构的体声波谐振结构；

去除所述临时底衬和氧化硅层；

在所述压电层的远离下电极的一侧表面上形成上电极及电连结构。

进一步地，在临时底衬的一侧上布设氧化硅层，并在所述氧化硅层上设置带有空腔凸起的压电层，包括：

在临时底衬的一侧上布设氧化硅层；

在所述氧化硅层的远离所述临时底衬的一侧表面上设置第一压电层；

在所述第一压电层的远离所述氧化硅层的一侧表面上设置第二压电层；

在所述第二压电层通过激光绘图方式标定所述空腔凸起的位置，并按照所述空腔凸起的位置对所述第二压电层进行刻蚀形成空腔凸起，所述空腔凸起与所述第二压电层形成带有空腔凸起的压电层。

进一步地，所述空腔凸起为等腰梯形结构；所述空腔凸起的等腰梯形结构的底角角度的取值范围为35°-68°；并且，所述空腔凸起的高度满足如下条件：

0.24（H₁+H₂-0.27H₃）≤H≤0.43（H₁+H₂-0.27H₃）

其中，H表示所述空腔凸起的高度；H₁表示所述第一压电层的厚度；H₂表示所述具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构的第一斜壁的垂直高度；H₃表示所述下电极的厚度。

进一步地，在所述带有空腔凸起的压电层的远离所述临时底衬的一侧表面上形成下电极，包括：

在所述空腔凸起的一侧的压电层表面上沉积下电极层；

通过刻蚀在所述下电极层上形成一侧具有斜坡结构的下电极，所述下电极与所述压电层之间建立电连接；其中，所述下电极的斜坡结构底端与所述空腔凸起的底端相抵接触；

在所述下电极的远离压电层一侧表面上沉积第一钝化层。