[发明专利]一种体声波谐振器制作的方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器制作的方法，其特征在于，所述方法包括：

在临时底衬的一侧上布设氧化硅层，并在所述氧化硅层上设置带有空腔凸起的压电层；

在所述带有空腔凸起的压电层的远离所述临时底衬的一侧表面上形成下电极；

在所述下电极上形成具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构的体声波谐振结构；

去除所述临时底衬和氧化硅层；

在所述压电层的远离下电极的一侧表面上形成上电极及电连结构；

其中，在临时底衬的一侧上布设氧化硅层，并在所述氧化硅层上设置带有空腔凸起的压电层，包括：

在临时底衬的一侧上布设氧化硅层；

在所述氧化硅层的远离所述临时底衬的一侧表面上设置第一压电层；

在所述第一压电层的远离所述氧化硅层的一侧表面上设置第二压电层；

在所述第二压电层通过激光绘图方式标定所述空腔凸起的位置，并按照所述空腔凸起的位置对所述第二压电层进行刻蚀形成空腔凸起，所述空腔凸起与所述第一压电层形成带有空腔凸起的压电层；

其中，所述空腔凸起为等腰梯形结构；所述空腔凸起的等腰梯形结构的底角角度的取值范围为35°-68°；并且，所述空腔凸起的高度满足如下条件：

0.24（H₁+H₂-0.27H₃）≤H≤0.43（H₁+H₂-0.27H₃）

其中，H表示所述空腔凸起的高度；H₁表示所述第一压电层的厚度；H₂表示所述具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构的第一斜壁的垂直高度；H₃表示所述下电极的厚度。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在所述带有空腔凸起的压电层的远离所述临时底衬的一侧表面上形成下电极，包括：

在所述所述空腔凸起的一侧的压电层表面上沉积下电极层；

通过刻蚀在所述下电极层上形成一侧具有斜坡结构的下电极，所述下电极与所述压电层之间建立电连接；

在所述下电极的远离压电层一侧表面上沉积第一钝化层。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述下电极的靠近所述空腔凸起的一侧设置为斜坡结构，并且，所述斜坡结构的坡度范围为28°-50°。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在所述下电极上形成具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构的体声波谐振结构，包括：

在裸露的所述带有空腔凸起的压电层的上表面和第一钝化层的上表面沉积一层牺牲层，并通过刻蚀方式将所述牺牲层刻蚀为具有垂直壁与斜壁结合式牺牲层结构；其中，所述具有垂直壁与斜壁结合式牺牲层结构覆盖所述空腔凸起；

在所述具有垂直壁与斜壁结合式牺牲层结构上以及裸露的第一钝化层和压电层上沉积一层截止边界层；

在所述截止边界层上沉积键合层，并在所述键合层上键合第一衬底；

通过腐蚀方式去除所述具有垂直壁与斜壁结合式牺牲层结构，形成具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构。

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述具有垂直壁与斜壁结合式空腔结构包括第一垂直壁、第二垂直壁、第一斜壁和第二斜壁；所述第一垂直壁垂直连接与所述压电层；所述第一斜壁连接于所述第一垂直壁；所述第二垂直壁连接于所述第一斜壁；所述第二斜壁位于所述下电极上方并与所述第一钝化层连接。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述第一垂直壁的高度与所述空腔凸起的高度相同；所述第一斜壁的坡度范围为32°-45°；所述第一斜壁的坡度方向与所述下电极的坡度方向相同，且，所述第一斜壁的坡度值与所述下电极的坡度值不同且坡度值之差不大于3°；所述第二斜壁的坡度值与所述第一斜壁的坡度值相同，但斜坡方向相反。