[发明专利]一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺有效
申请号: | 202210487851.8 | 申请日: | 2022-05-06 |
公开(公告)号: | CN114956142B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 褚超 | 申请(专利权)人: | 山东长泽新材料科技有限公司 |
主分类号: | C01F7/785 | 分类号: | C01F7/785 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 孙振家 |
地址: | 277200 山东省枣*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶型可 调控 纳米 滑石 临界 合成 工艺 | ||
本发明涉及一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺。包括步骤如下:(1)将水和醇类溶剂混合,得到混合溶液,然后将金属氢氧化物和金属氧化物分散在混合溶液中,搅拌均匀后研磨0.5~2h,得到水滑石浆料;(2)将水滑石浆料升温至80~180℃,维持温度0.5~2h,通入二氧化碳气体升压至8~10Mpa,维持压力0.5~1.5h,然后降压至1~2Mpa,维持压力2~4小时,再加入有机配体,接枝改性反应0.5~2h,得到纳米水滑石。本发明制备出晶型可控的水滑石三维晶体,调控水滑石径厚比为1~2,水滑石晶粒的比表面积为15~25msupgt;2/supgt;/g,通过SEM电镜可以测量纳米水滑石粒径为300~500nm,激光衍射散射法测量纳米水滑石粒度主要分布在0.5~1.5μm,具有良好的分散性、着色性、耐热老化性和吸酸性。
技术领域
本发明涉及一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺,属于水滑石制备技术领域。
背景技术
水滑石是一种具有三维层状结构的晶体物质,目前市面应用最广的为碳酸根型水滑石,它由双层层板和层间阴离子组成,层板由二价和三价的金属阳离子及羟基组成,比如常见的由氢氧化镁和氢氧化铝构成的层板,层板之间包含碳酸根离子(CO3-2)和结晶水。碳酸根型水滑石(以下简称水滑石)粒子在聚氯乙烯(PVC)树脂中,将捕获通过聚氯乙烯劣化产生的氯化氢(HCl)或氯,此时,其层间的水分子(H2O)及碳酸根离子(CO3-2)会放出CO2及水分子。由于具有这种特性,因此,水滑石粒子在现有技术中被广泛用作现有的抗酸剂、聚烯烃类树脂的齐格勒·纳塔残留物的中和剂、氯化树脂的稳定剂,而其晶粒大小、径厚比、比表面积等参数对其在聚合物中的分散性、耐热老化性、着色性有着直接影响。
较为常用的水滑石生产技术为离子工艺,以可溶性金属盐为原料,离子工艺可较好的调控水滑石晶体形貌,制备出不同晶粒大小、径厚比、比表面积的水滑石粒子,可较好的应用于不同种类聚合物中,但是这种工艺会产生较多没有利用价值的盐类,为了去除水滑石内含有的钠(Na)盐或其他盐类而必须得去进行数次洗涤。进而产生的大量污水及副产物,导致生产性低下、制造成本增加、恶化环境等问题。
中国专利文献CN1994888A公开了一种层状复合金属氢氧化物的清洁制备方法。中国专利文献CN101905869A公开了一种层状复合金属氢氧化物的制备方法。但是这两种方法制备的水滑石粒子二次平均粒子大或比表面积大时,与树脂的分散性会较差,并且这两种方法在使用如铁或锰的金属时,也会降低其在聚合物中的耐热老化性和着色性。
中国专利文献CN103108907A公开了钠含量控制在极微量的水滑石、其制造方法及含有其的合成树脂组成物。其中提及二氧化碳制备水滑石的工艺,但其二氧化碳通入量较少,二氧化碳不能快速与其它固体原料充分接触,在水滑石生长过程中不能有效调控晶体形貌,导致其在聚合物的分散性、着色性劣化。
为了解决以上问题,非常有必要开发一种无副产物、清洁化且可调控的水滑石晶型的生产工艺。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺。
本发明的技术方案如下:
一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺,包括步骤如下:
(1)将水和醇类溶剂混合,得到混合溶液,然后将金属氢氧化物和金属氧化物分散在混合溶液中,搅拌均匀后研磨0.5~2h,得到水滑石浆料;
(2)将水滑石浆料升温至80~180℃,维持温度0.5~2h,通入二氧化碳气体升压至8~10Mpa,维持压力0.5~1.5h,然后降压至1~2Mpa,维持压力2~4小时,再加入有机配体,接枝改性反应0.5~2h,得到纳米水滑石。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东长泽新材料科技有限公司,未经山东长泽新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210487851.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。