[发明专利]一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺有效

专利信息
申请号: 202210487851.8 申请日: 2022-05-06
公开(公告)号: CN114956142B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 褚超 申请(专利权)人: 山东长泽新材料科技有限公司
主分类号: C01F7/785 分类号: C01F7/785
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 孙振家
地址: 277200 山东省枣*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶型可 调控 纳米 滑石 临界 合成 工艺
【说明书】:

本发明涉及一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺。包括步骤如下:(1)将水和醇类溶剂混合,得到混合溶液,然后将金属氢氧化物和金属氧化物分散在混合溶液中,搅拌均匀后研磨0.5~2h,得到水滑石浆料;(2)将水滑石浆料升温至80~180℃,维持温度0.5~2h,通入二氧化碳气体升压至8~10Mpa,维持压力0.5~1.5h,然后降压至1~2Mpa,维持压力2~4小时,再加入有机配体,接枝改性反应0.5~2h,得到纳米水滑石。本发明制备出晶型可控的水滑石三维晶体,调控水滑石径厚比为1~2,水滑石晶粒的比表面积为15~25msupgt;2/supgt;/g,通过SEM电镜可以测量纳米水滑石粒径为300~500nm,激光衍射散射法测量纳米水滑石粒度主要分布在0.5~1.5μm,具有良好的分散性、着色性、耐热老化性和吸酸性。

技术领域

本发明涉及一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺,属于水滑石制备技术领域。

背景技术

水滑石是一种具有三维层状结构的晶体物质,目前市面应用最广的为碳酸根型水滑石,它由双层层板和层间阴离子组成,层板由二价和三价的金属阳离子及羟基组成,比如常见的由氢氧化镁和氢氧化铝构成的层板,层板之间包含碳酸根离子(CO3-2)和结晶水。碳酸根型水滑石(以下简称水滑石)粒子在聚氯乙烯(PVC)树脂中,将捕获通过聚氯乙烯劣化产生的氯化氢(HCl)或氯,此时,其层间的水分子(H2O)及碳酸根离子(CO3-2)会放出CO2及水分子。由于具有这种特性,因此,水滑石粒子在现有技术中被广泛用作现有的抗酸剂、聚烯烃类树脂的齐格勒·纳塔残留物的中和剂、氯化树脂的稳定剂,而其晶粒大小、径厚比、比表面积等参数对其在聚合物中的分散性、耐热老化性、着色性有着直接影响。

较为常用的水滑石生产技术为离子工艺,以可溶性金属盐为原料,离子工艺可较好的调控水滑石晶体形貌,制备出不同晶粒大小、径厚比、比表面积的水滑石粒子,可较好的应用于不同种类聚合物中,但是这种工艺会产生较多没有利用价值的盐类,为了去除水滑石内含有的钠(Na)盐或其他盐类而必须得去进行数次洗涤。进而产生的大量污水及副产物,导致生产性低下、制造成本增加、恶化环境等问题。

中国专利文献CN1994888A公开了一种层状复合金属氢氧化物的清洁制备方法。中国专利文献CN101905869A公开了一种层状复合金属氢氧化物的制备方法。但是这两种方法制备的水滑石粒子二次平均粒子大或比表面积大时,与树脂的分散性会较差,并且这两种方法在使用如铁或锰的金属时,也会降低其在聚合物中的耐热老化性和着色性。

中国专利文献CN103108907A公开了钠含量控制在极微量的水滑石、其制造方法及含有其的合成树脂组成物。其中提及二氧化碳制备水滑石的工艺,但其二氧化碳通入量较少,二氧化碳不能快速与其它固体原料充分接触,在水滑石生长过程中不能有效调控晶体形貌,导致其在聚合物的分散性、着色性劣化。

为了解决以上问题,非常有必要开发一种无副产物、清洁化且可调控的水滑石晶型的生产工艺。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提供一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺。

本发明的技术方案如下:

一种晶型可调控的纳米水滑石超临界合成工艺,包括步骤如下:

(1)将水和醇类溶剂混合,得到混合溶液,然后将金属氢氧化物和金属氧化物分散在混合溶液中,搅拌均匀后研磨0.5~2h,得到水滑石浆料;

(2)将水滑石浆料升温至80~180℃,维持温度0.5~2h,通入二氧化碳气体升压至8~10Mpa,维持压力0.5~1.5h,然后降压至1~2Mpa,维持压力2~4小时,再加入有机配体,接枝改性反应0.5~2h,得到纳米水滑石。

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