[发明专利]一种大直径硅片片盒清洗设备

说明书

本发明公开了一种大直径硅片片盒清洗设备，包括输送座，所述输送座的顶部设置有密封罩，所述密封罩内部的一侧设置有纯水预清洗区，所述纯水预清洗区的一侧设置有超声清洗区，所述超声清洗区的内部设置有超声波发生器，所述超声清洗区的一侧设置有最终清洗区，所述纯水预清洗区和最终清洗区的内侧皆设置有喷淋管。该一种大直径硅片片盒清洗设备，在进行日常使用的过程中，可以通过增加多步纯水清洗和超声清洗过程，对颗粒杂质和金属离子进行去除，经过三步热干燥和二步热真空，大大提高了片盒洁净度，同时避免人员烫伤和片盒的二次污染，同时通过旋转架带动片盒进行实时转动，可使清洗的整体更加全面。

技术领域

本发明涉及硅片生产设备技术领域，具体为一种大直径硅片片盒清洗设备。

背景技术

在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑，地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场(mass market)的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一，硅片在投入市场之前需要进行清洗消毒。

现有的清洗设备只采用单一纯水喷淋，去除片盒表面的颗粒杂质和金属离子，然后只进行单一热烘干，以此保证片盒表面洁净度，导致硅片清洗的不够全面，使得硅片清洗的整体效果不佳，同时容易造成人员的烫伤和片盒的为二次污染。

发明内容

本发明的目的在于提供一种大直径硅片片盒清洗设备，以解决上述背景技术中提出的现有清洗设备只采用单一纯水喷淋，去除片盒表面的颗粒杂质和金属离子，然后只进行单一热烘干，以此保证片盒表面洁净度，导致硅片清洗的不够全面，使得硅片清洗的整体效果不佳，同时容易造成人员的烫伤和片盒的为二次污染的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种大直径硅片片盒清洗设备，包括输送座，所述输送座的顶部设置有密封罩，所述密封罩内部的一侧设置有纯水预清洗区，所述纯水预清洗区的一侧设置有超声清洗区，所述超声清洗区的内部设置有超声波发生器，所述超声清洗区的一侧设置有最终清洗区，所述纯水预清洗区和最终清洗区的内侧皆设置有喷淋管，且喷淋管的底部皆设置有喷淋口，所述最终清洗区的一侧分别设置有第一片盒干燥区、第二片盒干燥区和第三片盒干燥区，所述第一片盒干燥区、第二片盒干燥区和第三片盒干燥区的内侧皆环绕排布设置有烘干管，所述第三片盒干燥区的一侧分别设置有第一真空干燥区和第二真空干燥区，所述第一真空干燥区和第二真空干燥区的内部皆设置有真空管，所述第二真空干燥区的一侧设置有缓冲区。

优选的，所述纯水预清洗区、超声清洗区、最终清洗区、片盒干燥区、真空干燥区和缓冲区之间皆设置有间隔挡板，且间隔挡板贯穿密封罩顶部与其活动插接。

优选的，所述输送座的顶部开设有限位槽，所述限位槽的两端分别设置有主动轴和从动轴，所述主动轴和从动轴的表面皆套设有传动皮带，且主动轴的一端贯穿输送座固定安装有传动电机。

优选的，所述传动皮带的顶部设置有上载轨道，所述上载轨道的顶部两侧设置有固定梁，所述固定梁的顶部两侧皆设置有固定杆，所述固定杆相对的一侧皆设置有支撑杆，所述支撑杆的顶端皆设置有支撑帽，所述支撑帽之间的固定梁顶部设置有旋转框架。

优选的，所述预清洗区设置有上下2个喷淋装置，且每个装置各3排喷淋，每排9个喷淋口。

优选的，所述最终清洗区的水温度为40-60℃，且片盒干燥区的热空气温度皆为55-75℃。

优选的，所述第一真空干燥区和第二真空干燥区的热空气温度皆为50-70℃。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：