[发明专利]一种提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的装置及方法

权利要求书

1.一种提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的装置，包括四根平行且并列设置的平面硫化镉靶材，分别为第一靶材、第二靶材、第三靶材和第四靶材，其特征在于，所述第一靶材和所述第二靶材的功率为1.5x～2.0x，各所述平面硫化镉靶材的阴极磁场系统均包括：

第一磁铁区域，包括多块N极朝外且依次排列的第一永久磁铁，

第二磁铁区域，设置在所述第一磁铁区域外围，包括多块S极朝外且依次排列构成环形的第二永久磁铁；

所述第一磁铁区域和所述第二磁铁区域之间形成溅射跑道；

所述第三靶材中第一磁铁区域以位于正中间的一个或两个磁铁处对应的溅射跑道位置的磁感应强度为基准，第一端的每一块永久磁铁的磁力递增，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递增，第二端的每一块永久磁铁的磁力递减，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递减，且所述第三靶材的功率为为0.7x-1.3x；

所述第四靶材中第一磁铁区域以位于正中间的一个或两个磁铁处对应的溅射跑道位置的磁感应强度为基准，第二端的每一块永久磁铁的磁感应强度递增，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递增，第一端的每一块永久磁铁的磁感应强度递减，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递减，且所述第四靶材的功率为0.7x～1.3x。

2.根据权利要求1所述的提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述第一永久磁铁的数量为四十个，所述第三靶材和所述第四靶材中第一磁铁区域均以位于正中间的第十九个和第二十个磁铁处对应的溅射跑道位置的磁感应强度为基准。

3.根据权利要求2所述的提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述第三靶材中，第十九个和第二十个磁铁处对应的溅射跑道位置的磁感应强度为1000Gs。

4.根据权利要求1所述的提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的装置，其特征在于，所述第二永久磁铁的数量为九十四个。

5.一种提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的方法，基于四根平行且并列设置的平面硫化镉靶材，分别为第一靶材、第二靶材、第三靶材和第四靶材，其特征在于，所述第一靶材和所述第二靶材的功率均为1.5x～2.0x，所述第三靶材和所述第四靶材的功率为1.0x，各所述平面硫化镉靶材的阴极磁场系统均包括：

第一磁铁区域，包括多块N极朝外且依次排列的第一永久磁铁，

第二磁铁区域，设置在所述第一磁铁区域外围，包括多块S极朝外且依次排列构成环形的第二永久磁铁；

所述第一磁铁区域和所述第二磁铁区域之间形成溅射跑道；

所述方法包括：

将所述第一靶材和所述第二靶材的功率设置为相同；

调节所述第三靶材中第一磁铁区域内的各磁铁的磁力，以位于正中间的一个或两个磁铁处对应的溅射跑道位置的磁感应强度为基准，沿第一端将每一块永久磁铁的磁力递增，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递增，沿第二端将每一块永久磁铁的磁力递减，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递减；

调节所述第四靶材中第一磁铁区域内的各磁铁的磁力，以位于正中间的一个或两个磁铁处对应的溅射跑道位置的磁感应强度为基准，沿第二端将每一块永久磁铁的磁力递增，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递增，沿第二端将每一块永久磁铁的磁力递减，使其对应的溅射跑道位置的磁感应强度依次按1％递减；

根据溅射膜厚差异情况，将第三靶材和/或第四靶材的功率提高0～30％或降低0～30％。

6.根据权利要求5所述的提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述根据溅射膜厚差异情况，将第三靶材和/或第四靶材的功率提高0～30％或降低0～30％包括：

根据溅射膜厚差异情况，若第一端处膜厚较大，则将第三靶材的功率降低0～30％，若第一端处膜厚较小，则将第三靶材的功率提高0～30％；

根据溅射膜厚差异情况，若第二端处膜厚较大，则将第四靶材的功率降低0～30％，若第二端处膜厚较小，则将第四靶材的功率提高0～30％。

7.根据权利要求5所述的提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述方法还包括：

适应性调节所述第一靶材和所述第二靶材的功率，使装置的总功率在原总功率的基础上保持不变。