[发明专利]非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片及加工工艺

权利要求书

1.非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片，包括芯片主体(1)，其特征在于，所述芯片主体(1)的两侧对称设置有引脚组件，所述引脚组件内部设置有八组引脚，且其均匀分布在芯片主体(1)的两侧。

2.根据权利要求1所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片，其特征在于，所述芯片主体(1)的一侧依次设置有第一引脚(2)、第二引脚(3)、第三引脚(4)与第四引脚(5)。

3.根据权利要求2所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片，其特征在于，所述芯片主体(1)的一侧设置有第五引脚(6)，且所述第五引脚(6)与第四引脚(5)关于芯片主体(1)对称分布，所述第五引脚(6)的一侧设置有第六引脚(7)，且所述第六引脚(7)与第三引脚(4)关于芯片主体(1)对称分布。

4.根据权利要求3所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片，其特征在于，所述第六引脚(7)的另一侧设置有第七引脚(8)，所述第七引脚(8)设置有两组，且其分别与第二引脚(3)以及第一引脚(2)关于芯片主体(1)对称分布。

5.根据权利要求1-4任一项所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片的加工工艺，其特征在于，所述第一引脚(2)采用COMP引脚，且所述第一引脚(2)用于环路补偿，所述第二引脚(3)采用FB引脚，且所述第二引脚(3)为反馈信号采样端。

6.根据权利要求5所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片的加工工艺，其特征在于，所述第三引脚(4)采用CS引脚，且所述第三引脚(4)为电流采样端，接采样电阻到地。

7.根据权利要求5所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片的加工工艺，其特征在于，所述第四引脚(5)采用GND引脚，且所述第四引脚(5)为芯片信号和功率地，所述第五引脚(6)采用DRV引脚，所述第五引脚(6)为外部功率MOS管栅极驱动。

8.根据权利要求5所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片的加工工艺，其特征在于，所述第六引脚(7)采用VCC引脚，且所述第六引脚(7)为芯片电源，所述第七引脚(8)为NC引脚，且所述第七引脚(8)为空脚。

9.根据权利要求5所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片的加工工艺，其特征在于，所述芯片主体(1)采用浮地构架，对电感电流进行全周期采样，工作于电感电流临界连续模式，可以实现高精度输出恒流控制，LED输出电流计算法：

其中，V_REF是内部基准电压，R_cs是电流采样电阻的值。

10.根据权利要求5所述的非隔离降压型有源PFCLED恒流驱动芯片加工工艺，其特征在于，所述芯片主体(1)通过FB来检测输出电流过零的状态，FB引脚也可以用来探测输出过压保护，阈值为1.5V,FB的上下分压电阻比例可以设置为：

其中，R_FBL是反馈网络的下分压电阻，R_FBH是反馈网络的上分压电阻，V_{OVP_FB}是输出电压过压保护设定点，推荐FB下分压电阻设置在2KΩ-8.2KΩ。