[发明专利]显示基板、封装基板和显示装置在审
| 申请号: | 202210461810.1 | 申请日: | 2022-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN114823772A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | 王灿;曲燕;玄明花;王明星;梁轩;王飞;董学;齐琪;杨明坤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 封装 显示装置 | ||
公开一种显示基板、封装基板和显示装置,涉及显示技术领域。该显示基板包括:驱动背板,以及位于驱动背板一侧的发光器件层。其中,发光器件层包括:多个发光单元;多个透明电极,位于多个发光单元远离驱动背板的表面,且与多个发光单元电连接;第一键合图案,至少位于多个透明电极之间;第一键合图案与至少一个透明电极电连接。本公开提供的显示基板,通过第一键合图案与多个透明电极连接,实现多个发光单元的电连接,与相关技术中,多个发光单元之间通过透明材料实现电连接相比,降低了电阻,达到降低压降,提升发光单元的发光效率,降低功耗,提高显示基板的显示性能等目的。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、封装基板和显示装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)是一种能够将电能转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管的发光原理是电子和空穴复合发光。
发光二极管具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配及可靠性高等优点,目前常作为光源被广泛应用。随着LED技术的成熟,直接使用LED作为亚像素的LED显示装置或Micro-LED(微型LED)显示装置逐渐发展起来。
但是,现有的LED显示装置的功耗较高。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示基板、封装基板和显示装置,用于降低LED显示装置的功耗。
为了实现上述目的,本公开提供如下技术方案:
一方面,本公开的一些实施例提供了一种显示基板。该显示基板包括:驱动背板,以及位于所述驱动背板一侧的发光器件层。其中,所述发光器件层包括:多个发光单元;多个透明电极,位于所述多个发光单元远离所述驱动背板的表面,且与所述多个发光单元电连接;第一键合图案,至少位于所述多个透明电极之间;所述第一键合图案与至少一个透明电极电连接。
在一些实施例中,所述第一键合图案还位于所述多个透明电极的周围。
在一些实施例中,所述第一键合图案包括多个网孔,一个网孔内设置有至少一个所述透明电极,且位于该网孔内的所述透明电极与所述网孔的孔壁电连接。
在一些实施例中,所述第一键合图案包括叠置的第一图案层和第二图案层,所述第二图案层位于所述第一图案层远离所述驱动背板的一侧。
在一些实施例中,所述第一图案层的材料包括第一金属材料,所述第二图案层的材料包括第二金属材料;所述第一金属材料的熔点高于所述第二金属材料的熔点。
在一些实施例中,所述第二图案层的尺寸大于所述第一图案层的尺寸。
在一些实施例中,所述发光单元包括:至少两个叠置的垂直型发光二极管;以及,位于两个所述垂直型发光二极管之间的连接层;其中,所述垂直型发光二极管包括:N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层;相邻的两个叠置的垂直型发光二极管中,一个垂直型发光二极管的N型半导体层和另一个垂直型发光二极管的P型半导体层通过所述连接层电连接。
在一些实施例中,该显示基板还包括:反射电极层,位于所述垂直型发光二极管和所述驱动背板之间。
在一些实施例中,该显示基板还包括:绝缘结构,位于所述多个发光单元之间,且位于所述第一键合图案和所述驱动背板之间。
再一方面,本公开实施例提供一种封装基板。该封装基板包括:基底;电极连接层,位于所述基底的一侧;以及,第二键合图案,位于所述电极连接层远离所述基底的一侧,且暴露出至少部分所述电极连接层。
在一些实施例中,所述第二键合图案包括第三图案层和第四图案层,所述第三图案层位于所述第四图案层远离所述基底的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





