[发明专利]一种介电结构的制备方法、介电结构

说明书

本申请属于半导体技术领域，提供了一种介电结构的制备方法、介电结构，通过采用第二半导体层作为保护层，对其与衬底之间的第二半导体层进行氧化处理形成介电层，并在第二半导体层的位置形成具有角度的接触金属层，从而提升金属半导体接触部分的金属边缘的半导体反向电场，达到提高功率器件的反向耐压和可靠度的目的。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种介电结构的制备方法、介电结构。

背景技术

电力电子领域经常会使用各种功率组件，在施加外加电压后，功率组件中的金属与半导体接触(金半接触)的金属边缘通常会出现较高的反向偏压，从而限制器件最大反向偏压与降低器件的可靠度。

发明内容

为了实现上述目的，本申请实施例提供一种介电结构的制备方法、介电结构，旨在金半接触的边缘制造出一种具有角度的介电层，提高器件反向偏压以及器件可靠度。

本申请实施例提供了一种介电结构的制备方法，所述制备方法包括：

在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层包括第一半导体区和与所述第一半导体区相邻的第二半导体区；

在所述第一半导体区上形成第二半导体层；

以所述第二半导体层作保护层对所述第二半导体区的第一半导体材料进行氧化处理形成介电层；

去除所述第二半导体层；

去除所述第一半导体区，并在所述第一半导体区的位置形成接触金属层。

在一个实施例中，所述以所述第二半导体层作保护层对所述第二半导体区的第一半导体材料进行氧化处理形成介电层，包括：

在所述第二半导体层的保护下采用氧化工艺对所述第二半导体区的第一半导体材料进行处理形成介电层。

在一个实施例中，所述介电层与所述衬底之间的角度为20°-80°。

在一个实施例中，所述在所述第二半导体层的保护下采用氧化工艺对所述第二半导体区的第一半导体材料进行处理形成介电层，包括：

在氧气环境下对所述第二半导体区进行加热，以使所述第二半导体区的第一半导体材料氧化形成所述介电层，其中，所述介电层与所述衬底之间的角度与加热时间呈正比例关系。

在一个实施例中，所述在所述第二半导体层的保护下采用氧化工艺对所述第二半导体区的第一半导体材料进行处理形成介电层，包括：

在所述第二半导体层的保护下向所述第二半导体区注入氧离子形成所述介电层，其中，所述介电层与所述衬底之间的角度由所述氧离子的注入角度确定。

在一个实施例中，所述在衬底上形成第一半导体层，包括：

在碳化硅基底上沉积硅材料，形成第一半导体层。

在一个实施例中，所述在所述第一半导体区上形成第二半导体层，包括：

采用接触金属掩膜在所述第一半导体区上沉积氮化硅形成第二半导体层。

在一个实施例中，所述去除所述第一半导体区，包括：

采用氢氟酸溶液对所述第一半导体区进行刻蚀处理，以去除所述第一半导体区内的第一半导体材料。

在一个实施例中，所述在所述第一半导体区的位置形成接触金属层，包括：

利用接触金属掩膜层沉积金属材料，以在第一半导体区的位置形成接触金属层。

本申请实施例第二方面还提供了一种介电结构，所述介电结构采用如上述任一项所述的制备方法制备。