[发明专利]一种介电结构的制备方法、介电结构在审
| 申请号： | 202210451165.5 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114914291A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 曾健忠 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 制备 方法 | ||
1.一种介电结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层包括第一半导体区和与所述第一半导体区相邻的第二半导体区；
在所述第一半导体区上形成第二半导体层；
以所述第二半导体层作保护层对所述第二半导体区的第一半导体材料进行氧化处理形成介电层；
去除所述第二半导体层；
去除所述第一半导体区，并在所述第一半导体区的位置形成接触金属层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以所述第二半导体层作保护层对所述第二半导体区的第一半导体材料进行氧化处理形成介电层，包括：
在所述第二半导体层的保护下采用氧化工艺对所述第二半导体区的第一半导体材料进行处理形成介电层。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述介电层与所述衬底之间的角度为20°-80°。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二半导体层的保护下采用氧化工艺对所述第二半导体区的第一半导体材料进行处理形成介电层，包括：
在氧气环境下对所述第二半导体区进行加热，以使所述第二半导体区的第一半导体材料氧化形成所述介电层，其中，所述介电层与所述衬底之间的角度与加热时间呈正比例关系。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二半导体层的保护下采用氧化工艺对所述第二半导体区的第一半导体材料进行处理形成介电层，包括：
在所述第二半导体层的保护下向所述第二半导体区注入氧离子形成所述介电层，其中，所述介电层与所述衬底之间的角度由所述氧离子的注入角度确定。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一半导体层，包括：
在碳化硅基底上沉积硅材料，形成第一半导体层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体区上形成第二半导体层，包括：
采用接触金属掩膜在所述第一半导体区上沉积氮化硅形成第二半导体层。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一半导体区，包括：
采用氢氟酸溶液对所述第一半导体区进行刻蚀处理，以去除所述第一半导体区内的第一半导体材料。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体区的位置形成接触金属层，包括：
利用接触金属掩膜层沉积金属材料，以在第一半导体区的位置形成接触金属层。
10.一种介电结构，其特征在于，所述介电结构采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备。
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