[发明专利]一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法

说明书

本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为：建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型；确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；获取工作温度Tsubgt;0/subgt;以及当前NEAGaN电子源的反射率Rsubgt;0/subgt;；将目标参数输入到温度校准模型，计算输出目标温度Tsubgt;1/subgt;；获取温度为Tsubgt;1/subgt;时NEAGaN电子源的反射率Rsubgt;1/subgt;并计算偏离度ssubgt;1/subgt;，若ssubgt;1/subgt;小于偏离值s，输出温度T＝Tsubgt;1/subgt;，若ssubgt;1/subgt;大于偏离值s，则根据Tsubgt;1/subgt;、Rsubgt;1/subgt;进行下一次修正，再次计算得到温度Tsubgt;2/subgt;与偏离度，并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度，直至ssubgt;n/subgt;小于偏离值s，最终输出目标R对应的最优温度T。本发明通过温度控制NEAGaN电子源反射率，具有自校准的功能，且控制灵活，启动快，可靠性高，可以精确实现实时自动控制NEAGaN电子源反射率的需求，进而提高稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。

背景技术

GaN作为第三代半导体的典型代表。具有宽带隙、高饱和漂移速度、高量子效率和低噪声等突出优点，是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。NEAGaN基光电阴极具有量子效率高、稳定性好、发射电子能量分布集中等优点，是高性能的新型光电阴极。

反射率作为GaN光电阴极光学特性的一个重要参数，可以直接影响量子效率。在一些对阴极材料的稳定性要求很高的应用场景下，需要电子源稳定维持特定的量子效率，而通过调节反射率的大小可以实现上述目的，因此实现反射率的实时控制非常重要。

目前实现特定反射率的方法只有重新激活或者更换材料等方法，操作复杂、成本高以及稳定性差，且不能实时进行控制，控制精度也不好把握，并不能很好的实现上述目的。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案为：

一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，其改进之处在于，建立关于NEAGaN光阴极电子反射率的温度校准公式模型，所述公式模型如下：

其中R₀为初始反射率，为常数；C_th为热反射系数，n为序号，R_n、T_n第n次测量得到的反射率与温度。

进一步的，一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，所述公式模型建立完成之后，包括以下步骤：

步骤1、确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s，初始偏离值s为所需要的精度；

步骤2、作为初始条件，首先对置入的NEAGaN电子源进行初始值测定，包括工作温度T₀以及当前NEAGaN电子源的反射率R₀；

步骤3、将上述确定的目标参数输入到温度校准公式模型，根据公式计算输出目标温度T₁；

步骤4、获取温度为T₁时NEAGaN电子源的反射率R₁；

步骤5、计算反射率R₁与目标反射率R的偏离度s₁；