[发明专利]一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法

权利要求书

1.一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法，其特征在于建立关于NEA GaN电子源反射率的温度校准公式模型，所述温度校准公式模型如下：

其中R₀为初始反射率，为常数；C_th为热反射系数，n为序号，R_n、T_n第n次测量得到的反射率与温度。

2.根据权利要求1所述的一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，其特征在于，所述温度校准公式模型建立完成之后，包括以下步骤：

步骤1、确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；

步骤2、获取工作温度T₀以及当前NEAGaN电子源的反射率R₀；

步骤3、将目标反射率R输入到温度校准公式模型，计算输出目标温度T₁；

步骤4、获取温度为T₁时NEAGaN电子源的反射率R₁；

步骤5、计算反射率R₁与目标反射率R的偏离度s₁；

步骤6、将偏离度s₁与设定值s进行比较，若s₁小于设定值s，输出温度T＝T₁，若s₁大于设定值s，则根据T₁、R₁进行下一次修正，计算得到温度T₂与偏离度s₂，并与设定值s进行比较；

根据如上步骤校准温度，直至s_n小于设定值s，输出目标R对应的最优温度T，达到实时控制反射率的目的。

3.根据权利要求2所述的一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，其特征在于：所述温度校准公式模型中热反射系数C_th受样品材料与入射光波长的影响。

4.根据权利要求2所述的一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，其特征在于：所述偏离度的计算方法为

5.根据权利要求2所述的一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，其特征在于：对于NEAGaN电子源温度校准公式模型，若一次不能得到最佳温度，则按所述温度校准公式模型不断修正，直至偏离值s_n小于s，输出目标R对应的最优温度T。

6.根据权利要求2所述的一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，其特征在于：本方法实时在线地对工作中的NEA GaN电子源的反射率进行精确控制。

7.根据权利要求2所述的一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法，其特征在于：所述NEAGaN电子源反射率计算和校准过程均由计算机软硬件自动进行，只需确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s，最终输出目标温度T，循环次数n，偏离度s_n。