[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板包括衬底和有源层；有源层包括沟道部和有源部，有源部包括第一掺杂部和第二掺杂部，第二掺杂部连接第一掺杂部和沟道部，第一掺杂部的离子浓度大于第二掺杂部的离子浓度；以及在衬底至有源层的方向上，第一掺杂部的厚度尺寸大于第二掺杂部的厚度尺寸；本申请通过预先在第一有源层材料中添加离子，以及将第一有源层中第一掺杂部对应的位置的厚度尺寸设置为大于第二掺杂部对应的位置的厚度尺寸，再沉积第二有源层，从而使两层有源层在激光退火中结晶，并且借助第一掺杂部和第二掺杂部的厚度差异形成不同的离子浓度，从而解决了采用高温扩散式掺杂的阵列基板无法实现LDD结构的技术问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

LTPS TFT(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor，低温多晶硅薄膜晶体管)具有迁移率高、稳定性好的优点，在显示面板领域具有广阔前景。

在显示面板的阵列基板的制作工艺中，可采用高温扩散式掺杂实现薄膜晶体管的有源层的导体化，现有技术中为了弥补薄膜晶体管的栅极图案化时光罩对位偏差，采取将栅极与掺杂区overlap(交叠)设计，由于栅极直接与掺杂区交叠，因而无法在栅极与掺杂区的交界处设置LDD(light dopping drain，轻掺杂漏极)结构，薄膜晶体管器件容易受热载流子效应影响而损坏。因此，亟需解决采用高温扩散式掺杂的阵列基板无法实现LDD结构的技术问题。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以解决采用高温扩散式掺杂的阵列基板无法实现LDD结构的技术问题。

为解决上述方案，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底和设置于所述衬底上的有源层；其中，所述有源层包括：

沟道部；

有源部，设置于所述沟道部两侧，所述有源部包括第一掺杂部和第二掺杂部，所述第二掺杂部位于所述第一掺杂部和所述沟道部之间，以及所述第二掺杂部与所述沟道部和所述第一掺杂部连接，所述第一掺杂部的离子浓度大于所述第二掺杂部的离子浓度；

其中，在所述衬底至所述有源层的方向上，所述第一掺杂部的厚度尺寸大于所述第二掺杂部的厚度尺寸。

在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括：

栅极，设置于所述有源层上；

其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述栅极覆盖所述沟道部，所述栅极和所述第二掺杂部至少部分重叠，以及所述栅极和所述第一掺杂部非重叠设置。

在本申请的阵列基板中，在所述衬底至所述有源层的方向上，所述沟道部的厚度尺寸小于所述第二掺杂部的厚度尺寸。

在本申请的阵列基板中，在所述衬底至所述有源层的方向上，所述第二掺杂部的离子浓度逐渐减小。

在本申请的阵列基板中，所述第二掺杂部围绕所述第一掺杂部一周设置。

在本申请的阵列基板中，所述第一掺杂部与所述第二掺杂部之间设置有阶梯结构，以及所述第一掺杂部远离所述衬底的表面与所述第二掺杂部远离所述衬底的表面平行设置。

本申请还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成掺杂有离子的第一有源材料层；

对所述第一有源材料层进行图案化处理，以使所述有源材料层形成呈阶梯状的多个有源掺杂部，多个所述有源掺杂部分离设置；

在多个所述有源掺杂部上形成第二有源材料层；