[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 202210441659.5 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114843285A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 陈寿清;卢马才 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/22 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底和设置于所述衬底上的有源层;其中,所述有源层包括:
沟道部;
有源部,设置于所述沟道部两侧,所述有源部包括第一掺杂部和第二掺杂部,所述第二掺杂部位于所述第一掺杂部和所述沟道部之间,以及所述第二掺杂部与所述沟道部和所述第一掺杂部连接,所述第一掺杂部的离子浓度大于所述第二掺杂部的离子浓度;
其中,在所述衬底至所述有源层的方向上,所述第一掺杂部的厚度尺寸大于所述第二掺杂部的厚度尺寸。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
栅极,设置于所述有源层上;
其中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述栅极覆盖所述沟道部,所述栅极和所述第二掺杂部至少部分重叠,以及所述栅极和所述第一掺杂部非重叠设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底至所述有源层的方向上,所述沟道部的厚度尺寸小于所述第二掺杂部的厚度尺寸。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底至所述有源层的方向上,所述第二掺杂部的离子浓度逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二掺杂部围绕所述第一掺杂部一周设置。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一掺杂部与所述第二掺杂部之间设置有阶梯结构,以及所述第一掺杂部远离所述衬底的表面与所述第二掺杂部远离所述衬底的表面平行设置。
7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成掺杂有离子的第一有源材料层;
对所述第一有源材料层进行图案化处理,以使所述有源材料层形成呈阶梯状的多个有源掺杂部,多个所述有源掺杂部分离设置;
在多个所述有源掺杂部上形成第二有源材料层;
对所述第二有源材料层和多个所述有源掺杂部进行预设工艺,以形成包括沟道部和设置于所述沟道部两侧的有源部;
其中,所述有源部包括所述第一掺杂部和所述第二掺杂部,所述第二掺杂部位于所述第一掺杂部和所述沟道部之间,以及所述第二掺杂部与所述沟道部和所述第一掺杂部连接,所述第一掺杂部的离子浓度大于所述第二掺杂部的离子浓度;
其中,在所述衬底至所述有源层的方向上,所述第一掺杂部的厚度尺寸大于所述第二掺杂部的厚度尺寸。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述对所述第一有源材料层进行图案化处理,以使所述有源材料层形成呈阶梯状的多个有源掺杂部的步骤包括:
采用第一次黄光工艺与刻蚀工艺形成多个所述有源掺杂部,对所述有源掺杂部进行第二次黄光工艺与刻蚀工艺形成呈阶梯状的多个所述有源掺杂部;或,采用第一次黄光工艺与刻蚀工艺形成多个所述有源掺杂部,采用灰化工艺对黄光工艺中的第一光阻进行退化,采用第二次刻蚀工艺形成呈阶梯状的多个所述有源掺杂部。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述对所述第二有源材料层和多个所述有源掺杂部进行预设工艺,以形成包括沟道部和设置于所述沟道部两侧的有源部的步骤包括:
对所述第二有源材料层和多个所述有源掺杂部进行激光退火,使所述有源掺杂部中的离子向所述第二有源材料层扩散,以及使所述有源掺杂部与所述第二有源材料层结晶,以形成包括所述沟道部和设置于所述沟道部两侧的所述有源部。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括面板主体和如权利要求1至6任一项所述的阵列基板,所述面板主体和所述阵列基板组合为一体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210441659.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的