[发明专利]基板处理装置及方法

说明书

本发明提供了防止基板的表面变得干燥的同时处理基板的基板处理装置及方法。所述基板处理方法包括：第一喷嘴向基板的第一点的上部移动的步骤；第一喷嘴向基板上排出第一基板处理液的步骤；第二喷嘴向第一点的上部移动的步骤；以及第二喷嘴向基板上排出第二基板处理液的步骤，其中，第二喷嘴在向第一点的上部移动之前位于基板的第二点的上部。

技术领域

本发明涉及处理基板的装置及方法。更详细地，涉及对基板进行清洗处理的装置及方法。

背景技术

半导体元件制造工艺可以在半导体元件制造设备中连续地进行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可以设置在定义为FAB(Fabrication Plant，制造工厂)的空间内，以制造半导体元件。

前工艺是指在晶片(Wafer)上形成电路图案以完成芯片(Chip)的工艺。前工艺可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺(Deposition Process)、利用光掩模(Photo Mask)将光刻胶(Photo Resist)转印到薄膜上的曝光工艺(Photo Lithography Process)、利用化学物质或反应性气体来选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺(Etching Process)、去除蚀刻后残留的光刻胶的灰化工艺(Ashing Process)、向与电路图案连接的部分注入离子以使其具有电子元件特性的离子注入工艺(IonImplantation Process)、去除晶片上的污染源的清洗工艺(Cleaning Process)等。

后工艺是指对通过前工艺完成的产品的性能进行评价的工艺。后工艺可以包括检查晶片上的各个芯片是否工作以筛选优良品和不良品的一次检查工艺、通过切片(Dicing)、贴片(Die Bonding)、焊线(Wire Bonding)、成型(Molding)、标记(Marking)等对各个芯片进行切割和分离以使其具有产品的形状的封装工艺(Package Process)、通过电特性检查、老化(Burn In)检查等来对产品的特性和可靠性进行最终检查的最终检查工艺等。

发明内容

在对晶片执行清洗工艺的情况下，可以用第一药液对晶片进行清洗，然后用第二药液对晶片进行进一步清洗。此时，第一药液和第二药液可以通过彼此不同的喷嘴提供到晶片上。

然而，为了在第一药液之后接着提供第二药液而更换喷嘴期间，可能产生等待时间(Waiting Time)，并且在此等待时间期间，晶片的表面可能变得干燥，从而导致晶片被污染等晶片的不良。

本发明要解决的技术问题在于提供防止基板的表面变得干燥的同时对基板进行处理的基板处理装置及方法。

本发明的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以通过以下的描述清楚地理解未提及的其它技术问题。

用于解决上述技术问题的本发明的基板处理方法的一方面(aspect)包括：第一喷嘴向基板的第一点的上部移动的步骤；所述第一喷嘴向所述基板上排出第一基板处理液的步骤；第二喷嘴向所述第一点的上部移动的步骤；以及所述第二喷嘴向所述基板上排出第二基板处理液的步骤，其中，所述第二喷嘴在向所述第一点的上部移动之前位于所述基板的第二点的上部。

所述第一点可以是所述基板的中心点。

所述第二点可以比所述基板的边缘更靠近所述第一点。

所述第二喷嘴可以在所述第一喷嘴向所述第一点的上部移动时向所述第二点的上部移动，或者在所述第一喷嘴向所述基板上排出所述第一基板处理液时向所述第二点的上部移动。

在所述第二喷嘴向所述第一点的上部移动期间，所述第一喷嘴可以离开所述基板的上部。

所述第二喷嘴的高度可以不同于所述第一喷嘴的高度。