[发明专利]基板处理装置及方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

第一喷嘴向基板的第一点的上部移动的步骤；

所述第一喷嘴向所述基板上排出第一基板处理液的步骤；

第二喷嘴向所述第一点的上部移动的步骤；以及

所述第二喷嘴向所述基板上排出第二基板处理液的步骤，

其中，所述第二喷嘴在向所述第一点的上部移动之前位于所述基板的第二点的上部。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第一点是所述基板的中心点。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

所述第二点比所述基板的边缘更靠近所述第一点。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第二喷嘴在所述第一喷嘴向所述第一点的上部移动时向所述第二点的上部移动，或者在所述第一喷嘴向所述基板上排出所述第一基板处理液时向所述第二点的上部移动。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述第二喷嘴向所述第一点的上部移动期间，所述第一喷嘴离开所述基板的上部。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第二喷嘴的高度不同于所述第一喷嘴的高度。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述第二喷嘴向所述第一点的上部移动期间，所述第一喷嘴向所述基板上排出所述第一基板处理液，或者所述第二喷嘴向所述基板上排出所述第二基板处理液或向所述基板上排出纯水。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第一基板处理液包括所述第二基板处理液未包括的成分。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，

所述第一基板处理液包括氢氟酸成分，且所述第二基板处理液包括氨水成分。

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：

第n喷嘴向所述第一点的上部移动的步骤；以及

所述第n喷嘴向所述基板上排出第n基板处理液的步骤，

其中，所述n是3以上的自然数。

11.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：

当所述第二基板处理液的排出结束时，向所述基板上排出纯水的步骤。

12.一种基板处理方法，包括：

第一喷嘴向基板的第一点的上部移动的步骤；

所述第一喷嘴向所述基板上排出第一基板处理液的步骤；

第二喷嘴向所述第一点的上部移动的步骤；以及

所述第二喷嘴向所述基板上排出第二基板处理液的步骤，

其中，所述第二喷嘴在向所述第一点的上部移动之前位于所述基板的第二点的上部，所述基板的第二点比所述基板的边缘更靠近所述第一点，以及

在所述第二喷嘴向所述第一点的上部移动期间，所述第一喷嘴向所述基板上排出所述第一基板处理液，或者所述第二喷嘴向所述基板上排出所述第二基板处理液或向所述基板上排出纯水。

13.一种基板处理装置，包括：

第一喷嘴，当移动到基板的第一点的上部时，向所述基板上排出第一基板处理液；以及

第二喷嘴，当移动到所述第一点的上部时，向所述基板上排出第二基板处理液，

其中，所述第二喷嘴在向所述第一点的上部移动之前位于所述基板的第二点的上部。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，

所述第一喷嘴和所述第二喷嘴分别设置在第一喷嘴支承部的端部和第二喷嘴支承部的端部。