[发明专利]一种晶圆级封装器件和扇出型封装器件在审

专利信息
申请号: 202210435092.0 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN114975328A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 杜茂华 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李秀云
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶圆级 封装 器件 扇出型
【权利要求书】:

1.一种晶圆级封装器件,其特征在于,包括:

晶圆,包含多个芯片,所述芯片的功能面上设置有焊盘;

第一介电层,位于所述功能面一侧,所述第一介电层对应所述焊盘位置设置有第一开口;

再布线层,位于所述第一介电层背离所述芯片一侧,包括多个再布线,且一个所述再布线通过一个所述第一开口与一个所述焊盘连接;其中,至少一个所述再布线包括间隔设置的第一部和第二部;

至少一个连接线,位于所述再布线层远离所述芯片一侧,且所述连接线跨接设置于同一所述再布线的所述第一部和所述第二部的上方,以使同一所述再布线的所述第一部通过所述连接线与所述第二部电连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装器件,其特征在于,还包括:

第二介电层,位于所述第一介电层背离所述芯片一侧,所述第二介电层至少覆盖所述再布线层的侧面和部分上表面以及部分所述连接线。

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装器件,其特征在于,

所述第二介电层对应所述第一部和所述第二部的位置分别设置有第二开口;

部分所述连接线位于所述第二介电层背离所述芯片一侧,所述连接线通过所述第二开口与所述第一部和所述第二部电连接。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装器件,其特征在于,还包括:

保护层,覆盖所述连接线从所述第二介电层中露出的部分。

5.根据权利要求2所述的晶圆级封装器件,其特征在于,

所述第二介电层上设置有第三开口,部分所述再布线从所述第三开口中露出;所述晶圆级封装器件还包括:

球下金属层,位于所述第二介电层背离所述芯片一侧,所述球下金属层通过所述第三开口与部分所述再布线电连接;

焊球,位于所述球下金属层背离所述再布线一侧。

6.根据权利要求5所述的晶圆级封装器件,其特征在于,

所述连接线与所述再布线层由不同材质形成。

7.根据权利要求6所述的晶圆级封装器件,其特征在于,

所述连接线的材质与所述球下金属层的材质相同。

8.一种扇出型封装器件,其特征在于,包括:

芯片,包括相背设置的功能面和非功能面,所述功能面上设置有多个焊盘;

塑封层,覆盖所述芯片的侧面和非功能面;

第一介电层,位于所述功能面一侧,所述第一介电层对应所述焊盘位置设置有第一开口;

再布线层,位于所述第一介电层背离所述芯片一侧,包括多个再布线,且一个所述再布线通过一个所述第一开口与一个所述焊盘连接;其中,至少一个所述再布线包括间隔设置的第一部和第二部;

至少一个连接线,位于所述再布线层远离所述芯片一侧,且所述连接线跨接设置于同一所述再布线的所述第一部和所述第二部的上方,以使同一所述再布线的所述第一部通过所述连接线与所述第二部电连接。

9.根据权利要求8所述的扇出型封装器件,其特征在于,还包括:

第二介电层,位于所述第一介电层背离所述芯片一侧,所述第二介电层对应所述第一部和所述第二部的位置分别设置有第二开口;部分所述连接线位于所述第二介电层背离所述芯片一侧,所述连接线通过所述第二开口与所述第一部和所述第二部电连接;

保护层,覆盖所述连接线从所述第二介电层中露出的部分。

10.根据权利要求9所述的扇出型封装器件,其特征在于,

所述第二介电层上设置有第三开口,部分所述再布线从所述第三开口中露出;所述扇出型封装器件还包括:

球下金属层,位于所述第二介电层背离所述芯片一侧,所述球下金属层通过所述第三开口与部分所述再布线电连接;其中,所述连接线的材质与所述球下金属层的材质相同。

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