[发明专利]一种多晶硅的后处理工艺在审
申请号: | 202210434391.2 | 申请日: | 2022-04-24 |
公开(公告)号: | CN114875486A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 钟峥;张诗华;张万里 | 申请(专利权)人: | 新疆大全新能源股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/00;B07B15/00;B03C1/30;B08B3/08;B08B3/00;B02C1/02;B28D5/04 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 刘铁生;孟阿妮 |
地址: | 832000 新疆维吾尔自治区*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 处理 工艺 | ||
本发明为一种多晶硅的后处理工艺,包括:还原炉生产的多晶硅棒根据质量检测结果进行切割和破碎处理;(1)将多晶硅棒截断两端面后,切割、机加工、清洗后,得成品硅芯;(2)将多晶硅棒破碎后,将颗粒、粉末与硅块分离;①硅块分选后,通过AI外观分选系统,按照致密、菜花、疏松的等级进行分类;②所颗粒、粉末料经过初级筛分后,得微粉料和非微粉料;a:将微粉料通过单晶炉拉制,得到的单晶硅棒截断两端面后,切割,得初级硅芯;b:将非微粉料经清洗、烘干后,筛分为颗粒料和粉末料,颗粒料进行装箱、入库,粉末料用于单晶炉拉制硅棒。本发明所述的一种多晶硅的后处理工艺,针对高纯多晶硅料处理及硅芯需求,形成一套完整的闭环处理系统。
技术领域
本发明属于多晶硅技术领域,具体涉及一种多晶硅的后处理工艺。
背景技术
多晶硅是硅产品产业链中的一个非常重要的中间产品,是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料,也是信息产业和新能源产业最基础的原材料。在新能源产业中,储能产业、分布式光伏产业、生物质能产业均为国家战略重要组成板块。随着我国经济的大力发展,光伏产业的快速发展对高质量、高效率、大批量的多晶硅料需求将会越来越大。
随着单晶连续拉晶工艺、转换效率、成本的优化,光伏电池已普遍进入P型单晶质量水准;同时,下游晶硅电池技术逐步往N型单晶和半导体级产品推广,技术的提升进一步对原料质量需求更加苛刻,产品纯度要求更高,金属、碳、氧、硼、磷等微粒元素对后续产量质量影响更加突出。
改良西门子法多晶硅生产工艺对多晶硅处理及其缺点如下所示:
(1)现普遍的多晶硅料破碎工艺为人工将硅棒分段投入机械破碎机、破碎成碎块再经振动筛进行粒径筛分,按质量标准分为大料、小料分开收集,在人工计量、封口、装箱、入库。
由于主要采用人机械破碎、人工计量、分选、包装,导致该过程劳动强度大,对人工素质、体力有较苛刻的要求。并且现有振动筛筛分准确率只有85%左右,无法精准的将大小料分离;同时因多晶硅棒生长过程会有较多外观呈阴阳面情况,半边疏松、半边致密,机械破碎成小块料后无法分离,导致部分高品质致密料流落到菜花或疏松料中,对产品质量是一种极大浪费,存在难以将硅芯精准分类、分级的问题。
(2)硅芯主要采用硅芯炉拉制(采用硅芯炉拉制成初级硅芯再经机加工、清洗后得到成品硅芯),或单晶炉拉制(在单晶炉中拉制成大直径硅棒,再采用线切割机切割成小直径方硅芯,再经机加工、清洗后得到成品硅芯)。
然而,硅芯炉拉制效率低下,一台设备产能在8000根/年左右;且在拉制过程极易引入氧、碳等元素。单晶炉:单台设备产能在14000-16,000根/年;拉制过程存在高温、高压风险,并多次发生过坩埚溢流造成设备爆炸的严重安全事故。
还有硅芯炉拉制原料棒在加工、清洗过程表面会有大量金属及油污的引入,同时与单晶炉一样,在拉制、硅芯加工、清洗等过程,会再次引入金属杂质引入、硅芯表面氧化等负面因素,导致硅芯部分质量与原料质量存在差异。
(3)机械破碎过程产生小颗粒硅料、微粉料等,因存在金属微粒、PU杂质等异物,无法直接用于单晶拉制,绝大多数降级为其他行业用低价值硅料,作为副产品或无价值料入库低价销售,严重浪费小颗粒料本身的高纯价值。
有鉴于此,本发明提出一种多晶硅的后处理工艺,是针对西门子高纯多晶硅料处理及硅芯需求,对现有的硅芯制备、硅料破碎、颗粒料、粉末料处理进行改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多晶硅的后处理工艺,针对西门子高纯多晶硅料处理及硅芯需求,形成一套完整的闭环处理系统,同时对现有的硅芯制备、硅料破碎产生的颗粒料、粉末料处理进行全面改进,形成一套全新型西门子法高纯多晶硅处理工艺。
为了实现上述目的,所采用的技术方案为:
一种多晶硅的后处理工艺,包括以下步骤:
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