[发明专利]一种多晶硅的后处理工艺

权利要求书

1.一种多晶硅的后处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：

还原炉生产的多晶硅棒根据质量检测结果进行切割和破碎处理；

(1)切割：将所述的需要进行切割的多晶硅棒截断两端面后，进行切割，得初级硅芯；将所述的初级硅芯通过机加工、清洗后，得成品硅芯；

(2)破碎：将需要进行破碎处理的多晶硅棒进行机械破碎后，通过初级气选，将颗粒、粉末料与硅块分离；

①所述的分离后的硅块通过图像识别系统进行分选，得小粒径硅块和大粒径硅块；将所述的小粒径硅块和大粒径硅块分别通过AI外观分选系统，按照致密、菜花、疏松的等级进行分类后，装箱、入库；

②所述的分离后的颗粒和粉末经过初级筛分后，得微粉料和非微粉料；

a：将所述的微粉料通过单晶炉拉制，得到的单晶硅棒截断两端面后，进行切割，得所述的初级硅芯；

b：将所述的非微粉料经过清洗、烘干后，通过筛分，分为颗粒料和粉末料，颗粒料进行装箱、入库，粉末料用于单晶炉拉制硅棒。

2.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的多晶硅棒通过线切割截断两端面，再进入方硅芯线切割机床进行直接切割。

3.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的初级硅芯的尺寸为12*12*(2500-3000)mm。

4.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的初级气选中，硅块的粒径不小于6mm。

5.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的AI外观分选系统采用双面高速摄像机对硅料正反面进行拍摄，通过图像识别系统，对硅块的外观致密程度进行判断，反馈AI智能执行系统，将硅块案子致密、菜花、疏松进行分类。

6.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的微粉料的粒径不大于0.5mm。

7.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的微粉料通过铸锭提纯后，再进行单晶炉拉制。

8.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的非微粉料先通过色选、磁选去除非硅异物后，再清洗。

9.根据权利要求1所述的后处理工艺，其特征在于，

所述的清洗为：先采用硝酸、氢氟酸的混酸溶液浸泡清洗，去除表面残留的金属离子后，再用纯水进行反复清洗，去除混酸溶液。