[发明专利]一种电子元件的制造方法和制造装置

权利要求书

1.一种电子元件的制造方法，用于在半导体器件表面镀覆铜栅线，其特征在于，将半导体器件放入阴极区(400)并驱动其在阴极区(400)内移动，同时将镀线滚轮(200)接通电源并驱动其转动，使镀线滚轮(200)的外侧周向上的导电部(210)在半导体器件表面沿其运动方向镀覆铜栅线；所述导电部(210)包括镀线区(202)和消镀区(201)；所述消镀区(201)的外侧设有阳极(600)，阳极(600)通过消镀区(201)的导电部(210)与电源正极电连接；所述镀线区(202)的外侧设有可放置半导体器件的阴极区(400)，半导体器件通过镀线区(202)的导电部(210)与电源负极电连接；

所述导电部(210)还包括设于镀线区(202)和消镀区(201)之间的缓蚀区(203)；所述导电部(210)沿着镀线滚轮(200)的外侧周向上依次设置有多个，所述消镀区(201)的导电部(210)设有M1个，所述镀线区(202)的导电部(210)设有M2个，所述M1≥M2。

2.根据权利要求1所述的一种电子元件的制造方法，其特征在于，所述缓蚀区(203)的导电部(210)数量占镀线滚轮(200)上导电部(210)总数之比为1/3～2/3。

3.根据权利要求1所述的一种电子元件的制造方法，其特征在于，在阴极区(400)上下两侧均设有镀线滚轮(200)和阳极(600)，对半导体器件的两面同时进行镀覆。

4.根据权利要求1或3所述的一种电子元件的制造方法，其特征在于，在阴极区(400)下侧设置驱动滚轮(300)，或在阴极区(400)上下两侧均设置驱动滚轮(300)；用驱动滚轮(300)支撑并带动半导体器件在阴极区(400)内平移，所述驱动滚轮(300)的线速度为υ1＝0.2m/min～4m/min，所述镀线滚轮(200)的线速度为υ2＝0.2m/min～4m/min。

5.根据权利要求4所述的一种电子元件的制造方法，其特征在于，所述υ1≥υ2。

6.根据权利要求1或3或5所述的一种电子元件的制造方法，其特征在于，镀线的电流密度为1ASD～20ASD。

7.一种制造装置，基于权利要求1～6任一项所述的一种电子元件的制造方法在半导体器件表面镀覆铜栅线，其特征在于，包括镀液区(500)、第一驱动件和第二驱动件；

所述镀液区(500)内设有镀线滚轮(200)，第一驱动件与镀线滚轮(200)连接，用于驱动镀线滚轮(200)转动；

所述镀线滚轮(200)的外侧周向上设有导电部(210)，导电部(210)包括镀线区(202)和消镀区(201)；所述消镀区(201)的外侧设有阳极(600)，阳极(600)通过消镀区(201)的导电部(210)与电源正极电连接；所述镀线区(202)的外侧设有可放置半导体器件的阴极区(400)，半导体器件通过镀线区(202)的导电部(210)与电源负极电连接；

所述导电部(210)沿着镀线滚轮(200)的外侧周向上依次设置有多个，所述消镀区(201)的导电部(210)设有M1个，所述镀线区(202)的导电部(210)设有M2个，所述M1≥M2；

所述第二驱动件与半导体器件连接，用于驱动半导体器件在阴极区(400)内移动。

8.根据权利要求7所述的制造装置，其特征在于，所述镀线滚轮(200)上的导电部(210)总数为M＝10个～100个，M2/M＝(0.2～0.5)：1。

9.根据权利要求7所述的制造装置，其特征在于，所述镀线滚轮(200)包括多个且分别设于阴极区(400)两侧；或者，所述镀线滚轮(200)包括多个且设于阴极区(400)的一侧。

10.根据权利要求7所述的制造装置，其特征在于，所述导电部(210)包括导电毛刷，导电毛刷由直径为0.2μm～5μm的导电纤维组成，导电毛刷的直径为5μm～30μm。