[发明专利]发光二极管的键合方法、发光二极管以及发光面板

说明书

本申请涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管的键合方法、发光二极管以及发光面板。其中，键合方法包括：提供微型发光二极管本体；微型发光二极管本体包括发光芯片以及设置于发光芯片至少一侧的外接电极；在外接电极背离发光芯片的一侧形成键合电极；至少在键合电极的侧面形成保护层；其中，保护层用于防止键合电极被腐蚀。通过本申请的技术方案，解决了键合电极被腐蚀的问题，进而有利于使得键合良好，提高整体稳定性。

技术领域

本申请涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管的键合方法、发光二极管以及发光面板。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，在日常生活中普遍应用，例如可用于照明、显示等场景中。其中，发光二极管的一种结构类型为微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)；为实现Micro-LED的驱动，通常将Micro-LED与驱动板键合。

将Micro-LED键合到驱动板时，需要键合材料。例如异方性导电胶膜(AnisotropicConductive Film,ACF)可作为一种键合材料；当采用ACF将Micro-LED键合到驱动板时，通常需用强力压合，例如压合过程中的压力可高达1000Kg，容易将Micro-LED压碎。

针对此，可将改用蒸镀的锡金属作为键合材料，以降低键合压力，例如可将压力降低至100Kg。但是，由于锡金属容易被氧化，会导致键合不良，稳定性差的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种发光二极管的键合方法、发光二极管以及发光面板，以防止键合金属被腐蚀，解决了由于键合不良导致的稳定性差的问题。

本申请实施例提供了一种微型发光二极管的键合方法，包括：

提供微型发光二极管本体；所述微型发光二极管本体包括发光芯片以及设置于所述发光芯片至少一侧的外接电极；

在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧形成键合电极；

至少在所述键合电极的侧面形成保护层；

其中，所述保护层用于防止所述键合电极被腐蚀。

在一个实施例中，所述至少在所述键合电极的侧面形成保护层，包括：

采用掩膜蒸镀的方式形成保护层，和/或，采用掩膜固化液体的方式形成保护层。

在一个实施例中，所述采用掩膜蒸镀的方式形成保护层，包括：

在所述发光芯片形成键合电极的一侧涂布光阻层；所述光阻层覆盖所述发光芯片、所述外接电极以及所述键合电极；

对所述光阻层进行曝光显影，去除位于所述外接电极上的光阻，对应形成第一凹坑，所述键合电极位于所述第一凹坑内，且所述外接电极与所述第一凹坑的侧壁之间存在间隙；

在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧采用蒸镀的方式形成第一预置保护层，所述第一预置保护层还填充在所述第一凹坑内，且至少覆盖所述键合电极的侧面；

去除所述光阻层。

在一个实施例中，所述采用掩膜固化液体的方式形成保护层，包括：

在所述发光芯片形成键合电极的一侧涂布光阻层；所述光阻层覆盖所述发光芯片、所述外接电极以及所述键合电极；

对所述光阻层进行曝光显影，去除位于所述外接电极上的光阻，对应形成第二凹坑，所述键合电极位于所述第二凹坑内，且所述外接电极与所述第二凹坑的侧壁之间存在间隙；