[发明专利]发光二极管的键合方法、发光二极管以及发光面板

权利要求书

1.一种微型发光二极管的键合方法，其特征在于，包括：

提供微型发光二极管本体；所述微型发光二极管本体包括发光芯片以及设置于所述发光芯片至少一侧的外接电极；

在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧形成键合电极；

至少在所述键合电极的侧面形成保护层；

其中，所述保护层用于防止所述键合电极被腐蚀。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的键合方法，其特征在于，所述至少在所述键合电极的侧面形成保护层，包括：

采用掩膜蒸镀的方式形成保护层，和/或，采用掩膜固化液体的方式形成保护层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用掩膜蒸镀的方式形成保护层，包括：

在所述发光芯片形成键合电极的一侧涂布光阻层；所述光阻层覆盖所述发光芯片、所述外接电极以及所述键合电极；

对所述光阻层进行曝光显影，去除位于所述外接电极上的光阻，对应形成第一凹坑，所述键合电极位于所述第一凹坑内，且所述外接电极与所述第一凹坑的侧壁之间存在间隙；

在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧采用蒸镀的方式形成第一预置保护层，所述第一预置保护层还填充在所述第一凹坑内，且至少覆盖所述键合电极的侧面；

去除所述光阻层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用掩膜固化液体的方式形成保护层，包括：

在所述发光芯片形成键合电极的一侧涂布光阻层；所述光阻层覆盖所述发光芯片、所述外接电极以及所述键合电极；

对所述光阻层进行曝光显影，去除位于所述外接电极上的光阻，对应形成第二凹坑，所述键合电极位于所述第二凹坑内，且所述外接电极与所述第二凹坑的侧壁之间存在间隙；

在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧采用固化液体的方式形成第二预置保护层，所述第二预置保护层还填充在所述第二凹坑内，且至少覆盖所述键合电极的侧面；

去除所述光阻层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧形成键合电极，包括：

采用掩膜蒸镀的方式形成键合电极，和/或，采用掩膜喷涂的方式形成键合电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采用掩膜蒸镀的方式形成键合电极，包括：

在所述发光芯片设置有外接电极的一侧涂布光阻层；所述光阻层覆盖所述发光芯片和所述外接电极；

对所述光阻层进行曝光显影，去除位于所述外接电极上的光阻，对应形成第三凹坑，所述第三凹坑在所述外接电极上的垂直投影位于所述外接电极内；

在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧采用蒸镀的方式形成第一预置键合电极层，所述第一预置键合电极层至少填充在所述第三凹坑内；

去除所述光阻层，并保留对应于所述第三凹坑位置的第一预置键合电极层，形成所述键合电极；

所述采用掩膜喷涂的方式形成键合电极，包括：

在所述发光芯片设置有外接电极的一侧涂布光阻层；所述光阻层覆盖所述发光芯片和所述外接电极；

对所述光阻层进行曝光显影，去除位于所述外接电极上的光阻，对应形成第四凹坑，所述第四凹坑在所述外接电极上的垂直投影位于所述外接电极内；

在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧采用喷涂的方式形成第二预置键合电极层，所述第二预置键合电极层至少填充在所述第四凹坑内；

去除所述光阻层，并保留对应于所述第四凹坑位置的第二预置键合电极层，形成所述键合电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

提供驱动板；

将形成有所述键合电极和所述保护层的微型发光二极管本体与所述驱动板键合。

8.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：

微型发光二极管本体，包括发光芯片以及设置于所述发光芯片至少一侧的外接电极；

键合电极，键合在所述外接电极背离所述发光芯片的一侧；

保护层，至少包覆所述键合电极的侧面。