[发明专利]一种HIT用电池硅片及其制备方法

权利要求书

1.一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，在开方后的硅锭上相对两侧面分别开出N道通槽，所述通槽长度方向与所述硅锭轴线平行，且每个侧面上的所述通槽沿所述通槽垂直方向将该侧面分成N+1等分；

步骤二，采用直线切割和沿硅锭径向切片的方式，制得所述电池硅片；所述电池硅片为四个角均是倒角且倒角形状相同的长方形，其长度L和宽度D之间满足如下公式：L＝(N+1)*D，其中N为正整数；所述通槽对应形成所述电池硅片上的倒角。

2.根据权利要求1所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，步骤一中所述通槽为类V形槽。

3.根据权利要求1所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，步骤一中采用开槽用砂轮在硅锭侧面上开出的通槽深度为T，且硅锭四个倒角的横向尺寸也为T。

4.根据权利要求1所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，所述硅锭四个倒角均为圆角，且圆角半径为R，且所述开槽用砂轮外圆周边沿两侧外形轮廓均是半径为R的内凹圆弧面。

5.根据权利要求4所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，所述开槽用砂轮外圆周边沿两侧内凹圆弧面宽度大于等于通槽深度T。

6.根据权利要求1所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，所述硅锭上相对两侧面分别开出的通槽道数N为1或2。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，步骤二中，先沿所述硅锭径向进行切片，通槽对应在形成的半成品硅片两对边上形成槽口；再在槽口处对每个半成品硅片进行直线切割，切割方向与槽口所在边垂直，得到N+1个所述电池硅片。

8.根据权利要求7所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，所述直线切割为激光无损切割。

9.根据权利要求1-6任一项所述的一种HIT用电池硅片的制备方法，其特征在于，步骤二中，先在通槽处对硅锭进行直线切割，直线切割的切割面经过对应通槽且与所述通槽所在侧面垂直，得到N+1个小硅锭；再沿每个小硅锭径向进行切片，制得所述电池硅片。

10.一种HIT用电池硅片，采用如权利要求1-6、8任一项所述制备方法制得。