[发明专利]LED芯片及其制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及LED芯片及其制备方法。包括：衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、支撑层、第三电极层、第三绝缘层。本发明所提供的LED芯片，通过增加不与第二电极层和第三电极层相连接的支撑层，以及与第三电极层相隔离的绝缘层，从而起到了隔离第二电极和第三电极的绝缘作用，从而避免了因绝缘层断裂而导致的漏电现象，增加了LED芯片的可靠性。又通过在芯片中心位置增加的支撑层，实现了防顶针顶破的效果，进一步增加了LED芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及LED芯片及其制备方法。

背景技术

LED作为新一代光源，被广泛应用在照明、显示、背光乃至光通信等领域。倒装芯片作为更高光效的产品已经越来越受到市场的青睐，倒装芯片制程结构较多，工艺制程复杂，因此对可靠性有了更高的要求和挑战。

常规的ODR结构，如图1所示，P型金属电极金属层延伸至N型焊盘下方，二者中间通过SiO₂绝缘层相互隔离，形成如虚线方框所示的区域。当绝缘层因为某些原因导致断裂或出现裂痕，均可能导致P型电极和N型焊盘连通，导致漏电的发生，使现有LED使用时的可靠性降低。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种LED芯片，通过增加不与第二电极层和第三电极层相连接的支撑层，以及与第三电极层相隔离的绝缘层，从而起到了隔离第二电极和第三电极的绝缘作用，从而避免了因绝缘层断裂而导致的漏电现象，增加了LED芯片的可靠性。

本发明的第二目的在于提供如上所述的LED芯片的制备方法。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

本发明提供了一种LED芯片，包括：衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、支撑层、第三电极层、第三绝缘层；

其中，所述支撑层设置在所述第二绝缘层和第三电极层之间；

所述第一电极层包括至少一个第一P型电极和至少一个第一N型电极；

所述第二电极层包括至少一个第二P型电极和至少一个第二N型电极；

所述第三电极层包括至少一个P型焊盘和至少一个N型焊盘。

本发明通过增加支撑层和第三绝缘层，使得第三电极层的焊盘与支撑层、支撑层与第二电极层，均不连通，且彼此绝缘，而第三绝缘层与第二电极层通过贯穿第二绝缘层和第三绝缘层的通孔导电连通。并且第三绝缘层与第二绝缘层采用同一光刻进行开孔刻蚀，实现了将支撑层从各个面都包裹在绝缘的SiO₂薄膜中，从而实现了支撑层与各层电极互不相连，起到异性电极的绝缘隔离作用，有效避免因绝缘层断裂导致的LED芯片漏电。

优选地，所述支撑层不与任意一电极层电性连接，包括P区支撑层、N区支撑层；

所述P区支撑层覆盖所述第二P型电极的区域；所述N区支撑层覆盖所述第二N型电极的区域；

所述支撑层还包括顶针区支撑层，所述顶针区支撑层设置在所述LED芯片的中心区域，且所述中心区域的下方无任何电极。

优选地，所述支撑层的厚度＜2μm。

优选地，所述支撑层为金属层或金属氧化物层或者DBR反射层，所述金属层包括Al、Ag、Cr、Ni、Ti、Pt和Au的金属单层或者几种金属单层组成的复合金属层。

优选地，所述支撑层的侧面距离所述第三通孔和/或所述第四通孔的距离≥5μm。

优选地，所述支撑层的面积占所述LED芯片的面积的50％～80％。