[发明专利]LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.LED芯片，其特征在于，包括：衬底、具有PN台阶的外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、支撑层、第三电极层、第三绝缘层；

其中，所述支撑层设置在所述第二绝缘层和第三电极层之间；

所述第一电极层包括至少一个第一P型电极和至少一个第一N型电极；

所述第二电极层包括至少一个第二P型电极和至少一个第二N型电极；

所述第三电极层包括至少一个P型焊盘和至少一个N型焊盘。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述支撑层不与任意一电极层电性连接，包括P区支撑层、N区支撑层；

所述P区支撑层覆盖所述第二P型电极的区域；所述N区支撑层覆盖所述第二N型电极的区域；

优选地，所述支撑层还包括顶针区支撑层，所述顶针区支撑层设置在所述LED芯片的中心区域；

优选地，所述支撑层的厚度≤2μm。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述支撑层为金属层或金属氧化物层或者DBR反射层；

优选地，所述金属层包括Al、Ag、Cr、Ni、Ti、Pt和Au的金属单层或者几种金属单层组成的复合金属层。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，设置有贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第三通孔和第四通孔；

所述P型焊盘和所述第二P型电极通过第三通孔电性连接，所述N型焊盘和所述第二N型电极通过第四通孔电性连接；

其中，所述支撑层的侧面距离所述第三通孔和/或所述第四通孔的距离≥5μm。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述支撑层的面积占所述LED芯片的面积的50％～80％。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第三电极层的面积占所述LED芯片的面积的30％～55％。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第三电极层的面积小于所述支撑层的面积。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二P型电极和所述第二N型电极之间具有一隔离槽，所隔离槽的宽度≥15μm；

和/或；

所述P型焊盘和所述N型焊盘之间的距离≥50μm。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第三电极层的包括Al、Cr、Ni、Ti、Pt和Au中的金属单层、或者几种金属和/或合金的复合层；

或者；所述第三电极层为包括Sn成分的Bump电极。

10.根据权利要求1-9任一项所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)、提供一衬底，并在所述衬底上依次沉积N型半导体层、发光层和P型半导体层以形成外延层；

(b)、在所述外延层上沉积SiO₂，并通过光刻得到电流阻挡层，再沉积得到电流扩展层，通过刻蚀得到PN台阶；

(c)、将多个第一P型电极和多个第一N型电极相间分布沉积于芯片表面，然后沉积第一绝缘层；

(d)、在所述第一P型电极和所述第一N型电极上方光刻分别得到第一通孔和第二通孔，沉积第二电极层；其中，第二P型电极通过第一通孔与第一P型电极相连通，第二N型电极通过第二通孔与第一N型电极相连通；

(e)、依次沉积第二绝缘层、支撑层和第三绝缘层，在所述第二P型电极和所述第二N型电极上方无支撑层的区域，刻蚀得到第三通孔和第四通孔；

(f)、沉积第三电极层，其中，P型焊盘通过第三通孔与所述第二P型电极相连接，N型焊盘通过第四通孔与所述第二N型电极相连接。