[发明专利]薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法，薄膜晶体管包括依次设于基板的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极以及钝化层，薄膜晶体管还包括导电层和有源层，导电层包括间隔设于栅极绝缘层背向栅极一侧的第一导电块和第二导电块，源极设于第一导电块背向栅极绝缘层的一侧，漏极设于第二导电块背向栅极绝缘层的一侧；第一导电块具有朝向第二导电块延伸并凸出于源极外边缘的第一搭接部，第二导电块具有朝向第一导电块延伸并凸出于漏极外边缘的第二搭接部；有源层设于栅极绝缘层背向栅极的一侧，并连接第一搭接部和第二搭接部。本发明提出的薄膜晶体管的有源层与源极或漏极之间的连接触阻抗更小。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管的半导体层的材质目前主要有非晶硅、氧化物以及多晶硅。相对于非晶硅，因氧化物半导体具有较高的载流子迁移率、较低的漏电而得到广泛应用。

在相关技术中，为了控制制程成本和难度，氧化物半导体薄膜晶体管多采用底栅型结构，即将有源层先于源极和漏极制作在源极和漏极下层，在该薄膜晶体管结构中，当对源极和漏极进行刻蚀时，容易刻蚀和损伤有源层。为避免上述问题，可将有源层后于源极和漏极制作在源极和漏极上层，形成底栅共平面型结构。在该薄膜晶体管结构中，源极和漏极在实际制程中容易出现表面轮廓不平整，在有源层与源极和漏极搭接时，有源层与源极或漏极接触不良，容易导致有源层与源极或漏极之间的接触阻抗变大，影响薄膜晶体管的电性。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种薄膜晶体管，旨在降低底栅共平面型薄膜晶体管中有源层与源极或漏极之间的接触阻抗，改善薄膜晶体管的电性。

为实现上述目的，首先，本发明提出了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极以及钝化层，所述栅极设于所述基板，所述栅极绝缘层设于所述栅极背向所述基板的一侧，所述钝化层位于所述源极和漏极背向所述栅极绝缘层的一侧，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层背向所述栅极的一侧，所述薄膜晶体管还包括：

导电层，所述导电层包括间隔设于所述栅极绝缘层背向所述栅极一侧的第一导电块和第二导电块，所述源极设于所述第一导电块背向所述栅极绝缘层的一侧，所述漏极设于所述第二导电块背向所述栅极绝缘层的一侧；所述第一导电块具有朝向所述第二导电块延伸并凸出于所述源极外边缘的第一搭接部，所述第二导电块具有朝向所述第一导电块延伸并凸出于所述漏极外边缘的第二搭接部；和

有源层，所述有源层设于所述栅极绝缘层背向所述栅极的一侧，并连接所述第一搭接部和所述第二搭接部。

在本发明的一实施例中，所述源极在所述导电层上的正投影位于所述第一导电块内；

且/或，所述漏极在所述导电层上的正投影位于所述第二导电块内。

在本发明的一实施例中，所述有源层靠近所述源极的一端形成有第一延伸部，所述有源层靠近所述漏极的一端形成有第二延伸部；

所述第一延伸部与所述源极连接，所述第二延伸部与所述漏极连接。

在本发明的一实施例中，所述第一延伸部与所述源极的外侧壁及所述源极背向所述第一导电块的一侧连接；

且/或，所述第二延伸部与所述漏极的外侧壁及所述漏极背向所述第二导电块的一侧连接。

其次，本发明还提出一种显示面板，所述显示面板包括：

上述的薄膜晶体管；

阵列基板，所述薄膜晶体管设于所述阵列基板；

彩膜基板，所述彩膜基板位于所述阵列基板的一侧；及

液晶层，所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。