[发明专利]薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极以及钝化层，所述栅极设于所述基板，所述栅极绝缘层设于所述栅极背向所述基板的一侧，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层背向所述栅极的一侧，所述钝化层位于所述源极和漏极背向所述栅极绝缘层的一侧，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

导电层，所述导电层包括间隔设于所述栅极绝缘层背向所述栅极一侧的第一导电块和第二导电块，所述源极设于所述第一导电块背向所述栅极绝缘层的一侧，所述漏极设于所述第二导电块背向所述栅极绝缘层的一侧；所述第一导电块具有朝向所述第二导电块延伸并凸出于所述源极外边缘的第一搭接部，所述第二导电块具有朝向所述第一导电块延伸并凸出于所述漏极外边缘的第二搭接部；和

有源层，所述有源层设于所述栅极绝缘层背向所述栅极的一侧，并连接所述第一搭接部和所述第二搭接部。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极在所述导电层上的正投影位于所述第一导电块内；

且/或，所述漏极在所述导电层上的正投影位于所述第二导电块内。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层靠近所述源极的一端形成有第一延伸部，所述有源层靠近所述漏极的一端形成有第二延伸部；

所述第一延伸部与所述源极连接，所述第二延伸部与所述漏极连接。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一延伸部与所述源极的外侧壁及所述源极背向所述第一导电块的一侧连接；

且/或，所述第二延伸部与所述漏极的外侧壁及所述漏极背向所述第二导电块的一侧连接。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

如权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管；

阵列基板，所述薄膜晶体管设于所述阵列基板；

彩膜基板，所述彩膜基板位于所述阵列基板的一侧；及

液晶层，所述液晶层位于所述彩膜基板和阵列基板之间。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，用于制作如权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括：

在所述基板表面依次形成所述栅极、所述栅极绝缘层，所述导电层以及金属层；

在所述金属层表面形成间隔设置的两个光阻，刻蚀所述金属层和所述导电层，在一所述光阻下方形成所述源极和所述第一导电块，在另一所述光阻下方形成所述漏极和所述第二导电块；

剥离两个所述光阻，在所述栅极绝缘层上形成所述有源层，在所述有源层、所述源极以及所述漏极表面形成所述钝化层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，刻蚀所述金属层和所述导电层的步骤包括：

经第一道刻蚀程序刻蚀所述金属层，形成所述源极和所述漏极；

经第二道刻蚀程序刻蚀所述导电层，形成所述第一导电块和所述第二导电块；

经第三道刻蚀程序刻蚀所述源极和所述漏极，使所述第一导电块的部分结构凸出于所述源极的外边缘，形成所述第一搭接部；并使所述第二导电块的部分结构凸出于所述漏极的外边缘，形成所述第二搭部。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一搭接部的延伸长度和所述第二搭接部的延伸长度大于等于1μm。

9.如权利要求6至8中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有源层的厚度与所述第一导电块的厚度的差值大于等于100A且小于等于1000A；

且/或，所述有源层的厚度与所述第二导电块的厚度的差值大于等于100A且小于等于1000A。

10.如权利要求6至8中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述导电层的材质为导电金属氧化物；

且/或，所述有源层的材质为金属氧化物半导体。