[发明专利]一种晶圆刷洗压力的控制方法、装置、设备及存储介质在审
申请号: | 202210424383.X | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN114815917A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 杨旭;周庆亚;田洪涛;贾若雨;杨元元 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
主分类号: | G05D15/01 | 分类号: | G05D15/01;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静玉 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刷洗 压力 控制 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
本发明公开了一种晶圆刷洗压力的控制方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:收集若干组滚刷移位器的移位参数及对应的晶圆压力;根据收集到的移位参数及对应的晶圆压力计算移位参数和晶圆压力的函数关系;在加工晶圆时,根据设定的晶圆压力,利用函数关系计算滚刷移位器的目标移位参数;控制滚刷移位器移动到目标移位参数处。本发明能够按工艺需求设定任意晶圆压力并使滚刷移位器移动,此外,通过晶圆加工数量和偏移量的关系,实时进行压力补偿,避免滚刷不断损耗导致误差变大,提高了刷洗设备的稳定性。
技术领域
本发明涉及晶圆刷洗技术领域,尤其涉及一种晶圆刷洗压力的控制方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
晶圆刷洗是晶圆清洗的一个重要的步骤,通过两个滚刷夹住晶圆,两侧滚刷以相同的速度向相反方向转动,夹住晶圆,并施加一定的压力,实现对晶圆的刷洗。晶圆刷洗压力是晶圆清洗中重要的工艺参数。滚刷的位置由气缸或者电缸来控制,改变滚刷的位置可以改变施加在晶圆上的压力。晶圆刷洗装置的结构示意图参照图1,通常包括上刷和下刷,分别有上刷电缸和下刷电缸控制移动,晶圆位于上刷和下刷之间。
现有的晶圆刷洗压力的控制方法是,标定若干个压力水平,如level1,2,3,4。利用外接压力测量装置,测量出四组压力数据,并通过软件读取控制滚刷位置和电缸的对应位置。记录下这四组数据,并保存到文件中。加工时,用户可选择上述预设压力,软件通过读取已保存的数据来控制电缸移动到相应的位置。此技术不能实现按工艺需求设定任意晶圆压力,只能选择现有几个预设的压力,无法满足复杂的工艺需求,并且使用时参数设定不够直观。此外,在现有技术中,滚刷使用一段时间后会出现磨损,按原有数据控制电缸会导致实际压力小于设置值,误差会逐渐增大。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种晶圆刷洗压力的控制方法、装置、设备及存储介质,能够解决现有技术中不能实现按工艺需求设定任意晶圆压力的问题。
本发明提出的技术方案如下:
本发明实施例第一方面提供一种晶圆刷洗压力的控制方法,包括:收集若干组滚刷移位器的移位参数及对应的晶圆压力;根据收集到的移位参数及对应的晶圆压力计算移位参数和晶圆压力的函数关系;在加工晶圆时,根据设定的晶圆压力,利用函数关系计算滚刷移位器的目标移位参数;控制滚刷移位器移动到目标移位参数处。
可选地,所述根据收集到的移位参数及对应的晶圆压力计算移位参数和晶圆压力的函数关系包括:根据相邻两组移位参数及对应的晶圆压力,利用函数关系式计算以相邻两组晶圆压力为端点的晶圆压力区间内的移位参数和晶圆压力的函数关系。
可选地,所述滚刷移位器为电缸,所述移位参数为电缸位置参数。
可选地,所述滚刷移位器为气缸,所述移位参数为气压压强。
可选地,所述根据设定的晶圆压力,利用函数关系计算滚刷移位器的目标移位参数包括:确定设定的晶圆压力所在的晶圆压力区间,根据晶圆压力区间内的函数关系计算滚刷移位器的目标移位参数。
可选地,控制滚刷移位器移动到目标移位参数处之前,还包括:查找滚刷移位器的偏移量,对目标移位参数进行偏移补偿,偏移补偿后的目标移位参数为利用函数关系计算得到的目标移位参数与所述偏移量之和。
可选地,所述偏移量的查找方法为:预先存储滚刷磨损程度和偏移量的对应关系;查找当前滚刷磨损程度,根据当前滚刷磨损程度匹配对应的偏移量;其中所述滚刷磨损程度根据已加工晶圆的数量或已加工时间确定;已加工晶圆的数量越多或已加工时间越长,所述滚刷磨损程度越大。
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