[发明专利]一种扇出型晶圆级芯片的封装方法及其封装结构

权利要求书

1.一种扇出型晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：

获取待处理晶圆；

在所述待处理晶圆上制备至少一层第一重布线层和至少一层第一保护层，得到待塑封结构；所述第一重布线层的数量和所述第一保护层的数量相等，且所述第一保护层覆盖所述第一重布线层的部分区域；

对所述待塑封结构进行塑封处理，得到待制备结构；

在所述待制备结构上制备至少一层第二重布线层和至少一层第二保护层，得到第一待切割结构；所述第二重布线层与所述第一重布线层连接，所述第二重布线层的数量和所述第二保护层的数量相等，且所述第二保护层覆盖所述第二重布线层的部分区域；

对所述第一待切割结构进行切割处理，得到封装后的扇出型晶圆级芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理晶圆包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；

所述在所述待处理晶圆上制备至少一层第一重布线层和至少一层第一保护层，得到待塑封结构，包括：

在所述待处理晶圆的所述第一表面上制备至少一层所述第一重布线层和至少一层所述第一保护层，得到第二待切割结构；

对所述第二待切割结构进行切割处理，得到待封装芯片集合；

将所述待封装芯片集合中的各待封装芯片倒置于载体上，使得所述第一保护层与粘附层连接，得到所述待塑封结构；所述载体包括粘附层和支撑层，所述粘附层设置在所述支撑层上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述待塑封结构进行塑封处理，得到待制备结构，包括：

对所述待塑封结构进行塑封处理，使得在所述各待封装芯片的第二表面和侧面形成塑封层；

沿着所述待塑封结构的所述第一保护层进行剥离处理，得到所述待制备结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述待制备结构上制备至少一层第二重布线层和至少一层第二保护层，得到第一待切割结构，包括：

在所述待制备结构的所述第一保护层上制备至少一层所述第二重布线层和至少一层所述第二保护层，得到待打磨结构；

对所述待打磨结构的第二表面进行打磨处理，得到待溅射结构；

在所述待溅射结构溅射金属层，得到所述第一待切割结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述待打磨结构的第二表面进行打磨处理，得到待溅射结构，包括：

对所述待打磨结构的第二表面进行打磨处理，使得所述待打磨结构的第二表面上的塑封层的厚度在预设厚度区间内，得到所述待溅射结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述待制备结构上制备至少一层第二重布线层和至少一层第二保护层，得到第一待切割结构，包括：

在所述待制备结构的所述第一保护层上制备至少一层所述第二重布线层、至少一层所述第二保护层和凸点下金属化层；

在所述凸点下金属化层上进行植球回流处理，得到所述第一待切割结构；所述第一待切割结构设有多个目标焊球，所述目标焊球呈阵列分布在所述第一待切割结构上。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述待处理晶圆的所述第一表面上制备至少一层所述第一重布线层和至少一层所述第一保护层，得到第二待切割结构，包括：

利用光刻、溅射、电镀在所述待处理晶圆的所述第一表面上制备至少一层所述第一重布线层和至少一层所述第一保护层；

其中，所述第一重布线层的材料为铜、铝；

所述第一保护层的材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯。