[发明专利]一种低损伤去胶装置

说明书

本发明的实施例提供了一种低损伤去胶装置，涉及半导体技术领域。该低损伤去胶装置包括装置本体、耦合装置和载气装置；装置本体包括依次连通的等离子体产生室和去胶反应室；耦合装置设置于装置本体上，用以使得进入等离子体产生室内的气体解离形成等离子体；载气装置设置于等离子体产生室和去胶反应室之间，用于向等离子体产生室内通入载气，以稀释产生于等离子体产生室内的等离子体，能够减轻等离子体对器件造成的损伤，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种低损伤去胶装置。

背景技术

等离子体划分成三类：高温等离子体（热核聚变等离子体），热等离子体（等离子体弧、等离子体矩等）；冷等离子体（低气压交直流、射频、微波等离子体以及高气压介质阻挡放电、电晕放电、RF放电）。

相比直流辉光放电，交流放电可以克服直流放电带来的等离子体的不均匀。而在交流放电中又有低频和高频区分，低频交流等离子放电会因为裸露的电极造成对等离子体的污染，高频等离子体可以改变处理的均匀性，并且无论有没有介质阻挡可以维持持续、均匀、有效的放电。同时电子和离子在放电的半周期内到达不了电极，大大降低了带电粒子的损耗；

高频RF放电可以产生较均匀的等离子体，这主要是由于高频放电过程中，电子在电场中往复运动，分子和电子发生碰撞，电子将能量传递给分子，使分子变为激发态，发生电离形成等离子体。如果RF功率低就会导致等离子体还未到达器件表面就已经能量衰减完，反应处理效果大幅降低。而RF功率过高，虽可以保证等离子体充分电离，也就意味着等离子体密度大，在到达器件表面时因密度过大导致对器件造成过量的轰击，形成对器件损伤严重，降低了后续器件的使用寿命，造成产品良率低，附加值低。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种低损伤去胶装置，其能够减轻等离子体对器件造成的损伤，提高产品良率。

本发明的实施例可以这样实现：

本发明的实施例提供了一种低损伤去胶装置，其包括装置本体、耦合装置和载气装置；

所述装置本体包括依次连通的等离子体产生室和去胶反应室；

所述耦合装置设置于所述装置本体上，用以使得进入所述等离子体产生室内的气体解离形成等离子体；

所述载气装置设置于所述等离子体产生室和所述去胶反应室之间，用于向所述等离子体产生室内通入载气，以稀释产生于所述等离子体产生室内的等离子体。

可选的，所述装置本体包括气体管路，所述气体管路具有进气端和出气端；

所述耦合装置包括耦合线圈，所述耦合线圈绕设于所述气体管路靠近所述进气端的位置，绕设有所述耦合线圈的气体管路段形成所述等离子体产生室，所述去胶反应室连通设置于所述出气端上。

可选的，所述出气端上设置有网格装置，用以对产生于所述等离子体产生室内的等离子体进行分散。

可选的，所述耦合线圈的频率为12-14MHz。

可选的，所述载气装置内部设置有加热丝，用于对载气进行加热。

可选的，所述载气为惰性气体。

可选的，所述去胶反应室内设置有晶圆载台，用以承载晶圆。

可选的，所述去胶反应室内设置有通有冷却水的冷却管路，所述冷却管路与所述晶圆载台相连接。

可选的，所述冷却管路为循环冷却管路。

可选的，所述去胶反应室上设置有抽气装置，用以对去胶反应室进行抽气。