[发明专利]多晶硅栅切割方法在审
| 申请号： | 202210395911.3 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114899148A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈品翰;吴华峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 切割 方法 | ||
1.一种多晶硅栅切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在有源区中形成STI，并淀积多晶硅；
S2，在多晶硅上淀积第一硬掩膜层；
S3，在第一硬掩膜层上旋涂光刻胶；
S4，打开多晶硅栅切割光刻窗口；
S5，执行光刻后去除光刻胶；
S6，淀积第一氧化层；
S7，执行第一研磨平坦化去除第一硬掩膜层上的第一氧化层；
S8，去除第一硬掩膜层，保留剩余第一氧化层；
S9，修整剩余第一氧化层形貌，其覆盖位置是最终多晶硅去除的位置；
S10，淀积第二硬掩膜层；
S11，执行第二研磨平坦化去除剩余第一氧化层上的第二硬掩膜层；
S12，刻蚀去除剩余第一氧化层；
S13，刻蚀形成多晶硅栅；
S14，去除第二硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的多晶硅栅切割方法，其特征在于：第一硬掩膜层是SiN。
3.如权利要求1所述的多晶硅栅切割方法，其特征在于：第一研磨平坦化采用CMP。
4.如权利要求1所述的多晶硅栅切割方法，其特征在于：第二硬掩膜层是SiN。
5.如权利要求1所述的多晶硅栅切割方法，其特征在于：第二研磨平坦化采用CMP。
6.如权利要求1-5任意一项所述的多晶硅栅切割方法，其特征在于：其能用于逻辑器件、存储器件和高压器件的多晶硅栅制作。
7.如权利要求1-5任意一项所述的多晶硅栅切割方法，其特征在于：鳍式场效晶体管、高k介质栅、Poly SiON、FinFET和FDSOI的多晶硅栅制作。
8.如权利要求1-5任意一项所述的多晶硅栅切割方法，其特征在于：其能用于45nm、40nm、32nm、28nm、22nm、20nm以及小于等于16nm工艺节点的的多晶硅栅制作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210395911.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种吸尘器用分离器及真空吸尘器
- 下一篇：共享接触孔制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
