[发明专利]工艺角的设置方法以及器件的设计方法

说明书

一种工艺角的设置方法以及器件的设计方法。该工艺角的设置方法包括：确定晶圆的待测试区域；测量待测试区域中的多个待检测器件的特性数据，获取特性数据中至少部分的统计分布；根据特性数据以及统计分布获取对第一电路模拟程序模型的调整参数；以及根据调整参数对第一电路模拟程序模型进行调整，以获取待测试区域的第二电路模拟程序模型以及相应的工艺角。该第二电路模拟程序模型可以更准确的表征晶圆在特殊区域，例如边缘区域的器件特性，进而为集成电路设计提供便利。

技术领域

本公开的实施例涉及一种工艺角的设置方法以及器件的设计方法。

背景技术

在半导体工业中，晶圆代工扮演着非常重要的角色，它将集成电路设计者的设计转化为集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片，从而可以制造各种各样的电子产品。随着移动设备、汽车相关产品需求的急剧增长，要求代工企业在更短的生产周期内生产更多的IC芯片。

产能和成品率是保证单个晶圆满足要求的两个非常重要的因素。提高产能的一种方法是在单个晶圆上生产更多的IC芯片，因此在过去的几十年里，半导体行业投入了大量资金来增加晶圆的尺寸。目前，晶圆尺寸已经从100nm增加到300mm，并在将来向450mm方向发展。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种工艺角的设置方法，该设置方法包括：确定晶圆的待测试区域；测量所述待测试区域中的多个待检测器件的特性数据，获取所述特性数据中至少部分的统计分布；根据所述特性数据和所述统计分布获取对第一电路模拟程序模型的调整参数；以及根据所述调整参数对所述第一电路模拟程序模型进行调整，以获取所述待测试区域的第二电路模拟程序模型以及相应的工艺角。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，测量所述待测试区域中多个待检测器件的特性数据，获取所述特性数据的统计分布，包括：在所述待测试区域中的芯片的不同位置设置器件测试结构，并通过所述器件测试结构测量所述多个待检测器件的部分所述特性数据；在晶圆完成焊点后，利用测试机获取所述多个待检测器件的部分所述特性数据；以及获取所述特性数据中至少部分的统计分布。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，根据所述特性数据和所述统计分布获取对所述第一电路模拟程序模型的调整参数，包括：获取所述统计分布的第一特征数据；以及将所述第一特征数据与第一电路模拟程序模型的第二特征数据进行比对，以获取对所述第一电路模拟程序模型的第一调整参数。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，所述第一特征数据包括根据所述统计分布拟合的直线，所述第二特征数据包括所述第一电路模拟程序模型对应的参考直线。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，根据所述特性数据和所述统计分布获取对所述第一电路模拟程序模型的调整参数，还包括：对所述特性数据中至少部分进行统计分布计算，得到标准差；以及基于所述标准差获取对所述第一电路模拟程序模型的第二调整参数。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，所述待测试区域包括晶圆的边缘区域。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，所述多个待检测器件包括晶体管。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，所述特性数据包括特性参数和/或特性曲线。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法中，所述特性参数包括饱和区阈值电压Vtsat、线性区阈值电压Vtlin、有效驱动电流Ieff和漏电流Ioff中的至少之一，所述特性曲线包括转移曲线Ids-Vgs、传输曲线Ids-Vds和电容电压曲线C-V中的至少之一。

例如，本公开至少一实施例提供的工艺角的设置方法还包括：提取相同条件下所述第一电路模拟程序模型的第一数据点和所述第二电路模拟程序模型的第二数据点将二者进行比较，获取比较结果。