[发明专利]工艺角的设置方法以及器件的设计方法

权利要求书

1.一种工艺角的设置方法，包括：

确定晶圆的待测试区域；

测量所述待测试区域中的多个待检测器件的特性数据，获取所述特性数据中至少部分的统计分布；

根据所述特性数据和所述统计分布获取对第一电路模拟程序模型的调整参数；以及

根据所述调整参数对所述第一电路模拟程序模型进行调整，以获取所述待测试区域的第二电路模拟程序模型以及相应的工艺角。

2.根据权利要求1所述的工艺角的设置方法，其中，测量所述待测试区域中多个待检测器件的特性数据，获取所述特性数据中至少部分的统计分布，包括：

在所述待测试区域中的芯片的不同位置设置器件测试结构，并通过所述器件测试结构测量所述多个待检测器件的部分所述特性数据；

在晶圆完成焊点后，利用测试机获取所述多个待检测器件的部分所述特性数据；以及

获取所述特性数据中至少部分的统计分布。

3.根据权利要求1所述的工艺角的设置方法，其中，根据所述特性数据和所述统计分布获取对所述第一电路模拟程序模型的调整参数，包括：

获取所述统计分布的第一特征数据；以及

将所述第一特征数据与第一电路模拟程序模型的第二特征数据进行比对，以获取对所述第一电路模拟程序模型的第一调整参数。

4.根据权利要求3所述的工艺角的设置方法，其中，所述第一特征数据包括根据所述统计分布拟合的直线，所述第二特征数据包括所述第一电路模拟程序模型对应的参考直线。

5.根据权利要求3所述的工艺角的设置方法，其中，根据所述特性数据和所述统计分布获取对所述第一电路模拟程序模型的调整参数，还包括：

对所述特性数据中至少部分进行统计分布计算，得到标准差；以及

基于所述标准差获取对所述第一电路模拟程序模型的第二调整参数。

6.根据权利要求1-5任一所述的工艺角的设置方法，其中，所述待测试区域包括晶圆的边缘区域。

7.根据权利要求1-5任一所述的工艺角的设置方法，其中，所述多个待检测器件包括晶体管。

8.根据权利要求7所述的工艺角的设置方法，其中，所述特性数据包括特性参数和/或特性曲线。

9.根据权利要求8所述的工艺角的设置方法，其中，所述特性参数包括饱和区阈值电压Vtsat、线性区阈值电压Vtlin、有效驱动电流Ieff和漏电流Ioff中的至少之一，

所述特性曲线包括转移曲线Ids-Vgs、传输曲线Ids-Vds和电容电压曲线C-V中的至少之一。

10.根据权利要求1-5任一所述的工艺角的设置方法，还包括：

提取相同条件下所述第一电路模拟程序模型的第一数据点和所述第二电路模拟程序模型的第二数据点将二者进行比较，获取比较结果。

11.根据权利要求1-5任一所述的工艺角的设置方法，其中，获取所述待测试区域的第二电路模拟程序模型以及相应的工艺角，包括：

根据所述第二电路模拟程序模型获取所述工艺角的四个顶点和中心位置的器件特性数据。

12.一种器件的设计方法，包括：

采用权利要求1-11任一所述的工艺角的设置方法获取所述待测试区域的第二电路模拟程序模型以及相应的工艺角，以及

根据所述第一电路模拟程序模型对应的工艺角以及所述第二电路模拟程序模型对应的工艺角设计器件。

13.一种器件的设计方法，包括：

采用权利要求1-11任一所述的工艺角的设置方法获取所述待测试区域的第二电路模拟程序模型以及相应的工艺角，

根据所述第一电路模拟程序模型对应的工艺角设计器件，以及

根据所述第二电路模拟程序模型对应的工艺角签核器件。